科學家研發非半導體光控微電子器件 納米級技術？

【PConline 資訊】相信有不少朋友會關注科學的發展，而在物理學領域中，現在科學家有新的成果，據外媒報道，加州大學聖迭戈分校一支團隊研發出首個「非半導體光控微電子器件」。也就是說，該團隊打造出了現代納米級的真空管技術，有望在速度、波長和功率處理上取代當前基於半導體的器件。

團隊表示到，半導體存在的問題是會限制一台設備上的導電性（電子流動）且帶隙（band gap）的存在，需要增加外部能量，才能使電子在其中流淌。

在流經半導體的時候，電子會不斷地與原子「碰撞」，電子速率的瓶頸就這樣產生了。而加州大學聖迭戈分校的這支工程團隊，希望能夠打破這個障礙，在微尺度里為電子提供一個自由的空間。然而這麼做需要施加很高的電壓（至少100V）、高功率激光、或者極高的溫度（超537℃ / 1000℉）—— 對於微納米級別的電子設備來說，沒有一種是合適的。

針對這個問題，該團隊在矽片上裝配了一超材料表層，中間還隔著一層二氧化硅。這種特殊的超材料表面，由許多類似「黃金蘑菇」的納米平行結構陣列組成。

在超材料表面上施加低電壓（小於10V）和低功率紅外激光，它就能夠產生允許電子自由活動的高強度電場空間。

領隊兼電氣工程教授Dan Sievenpiper表示，該方法不會替代所有的半導體器件，但會是某些專業應用的最佳實現方法，比如需要大量電力、或者在超高頻率下運行的器件。

科學家研發非半導體光控微電子器件

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