抗雜訊性能卓越的可控硅交流開關：ACT/ACTT

可控硅在斷態時的誤觸發是在實際應用中讓廣大用戶苦惱的問題， 超出最大斷開電壓變化率dV_D/dt 和超出截止狀態下反覆電壓峰值V_DRM 是實際應用中造成可控硅誤觸發的主要原因之一。日常使用中，因為市電中的雜訊影響，尤其是在電器開關的過程中，常常會發生很短時間過壓的現象，造成可控硅的誤觸發導致器件損壞。

瑞能半導體，作為可控硅器件的領導廠商，一直致力於開發出性能更卓越，更加可靠的產品。基於其先進的平面工藝，推出了一系列帶鉗位電壓功能的雙向可控硅產品：

?AC Thyristors (ACT)

?AC Thyristor Triacs (ACTT)

ACT 和ACTT能夠在交流迴路中存在過壓雜訊的情況下，將電壓鉗位於其能夠承受的範圍以內，雜訊的能量將會轉化為熱量耗散掉，使其不會因為過壓而導致誤觸發。

ACT/ACTT 作為抗雜訊性能卓越的交流開關，部分產品在150℃下達到了1000V/μs 的業界最高的dV_D/dt能力，大大增強了整個系統的抗雜訊能力。此外該系列產品通過了IEC61000-4-5 雷擊浪涌測試，正反向能夠承受2000V-2500V的尖峰電壓。

瑞能半導體擁有豐富的ACT/ACTT的系列，產品覆蓋電流I_T(RMS)從0.2A-16A, 電壓V_DRM600V-800V，以及多種的封裝形式，並且大部分的產品達到T_j(max)150℃的高結溫要求，能夠給客戶提供多種選擇。

瑞能半導體正在持續開發更多的ACT/ACTT系列產品，最新推出的ACTT2W-800ETN, 是第一顆SOT223 封裝，I_TRMS2A, 150度結溫, 並且帶鉗位電壓功能的雙向可控硅，出色的動態性能和浪涌能力，以及小尺寸的封裝能給工程師帶來最好的設計選擇。與此同時，瑞能半導體還將攜同系列產品及應用亮相今年10月在上海新國際博覽中心舉行的IC China展會，歡迎合作客戶及業界同仁屆時前去參觀交流！

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