三星公司硬碟產業疲軟 試圖轉向QLC快閃記憶體生產

三星方面宣布其將推出4層單元快閃記憶體，即QLC NAND晶元。目前容量最高的快閃記憶體單元是具有每單元容納3 bits的TLC（三層單元）。然而由於QLC晶元所用材料較TLC而言，其讀寫速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC晶元的製備難度也隨之增大。

SSD可並行訪問多塊晶片以提升訪問速度，同時還能夠憑藉冗餘配置以延長其耐用性。

迄今為止，東芝公司與西部數據公司，東芝方面的代工合作夥伴已經開始運行配有768 Gbit容量的QLC晶元產品生產線。而如果該合資企業沒有因為東芝方面出售其存儲器業務而引發關係決裂，那麼該晶元預計將於明年推出。

一位三星員工在接受Business Korea採訪時表示：「儘管目前QLC NAND快閃記憶體尚未進入批量生產階段，但公司內部已經開始著手進行這方面的準備工作了。」

此外，QLC NAND晶元將採用三星公司的V-NAND（3D NAND）技術，並且其晶片容量將可達到1 Tb（128 GB）。據了解，該晶元將會採用三星公司的第五代V-NAND技術，並且由於該技術的第四代為64層V-NAND，那麼其第五代將可能達到96層。

在此之前，三星還曾談到一款容量為128 TB的2.5英寸QLC SSD。另外，SK海力士也在準備推出QLC快閃記憶體晶元。

根據HIS Markit的統計報告顯示，QLC快閃記憶體晶元預計應該於2018年第一季度推出，且其市場份額在2018年底之前將達到5.1%，2021年則可能達到30%。

如果QLC定價明顯低於TLC，那麼其將開創適用於QLC的全新使用環境，具體包括高容量與快速訪問近線快閃記憶體，低訪問延遲歸檔或對象存儲等。

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