三星宣布11nm新工藝，未來將採用EUV極紫外光刻技術

隨著高通驍龍835、聯發科Helio X3等10nm晶元的廣泛應用，三星、台積電等企業紛紛發力更加先進的7nm工藝晶元。而今天，三星確認2018年下半年試產的7nm工藝將上EUV極紫外光刻(全面融合)，同時還公布了全新的11nm FinFET製造工藝「11LPP」。

可能同學們要問了， 10nm都已經量產好久了么，怎麼三星還在研究11nm的工藝呢？原來，三星的11nm工藝意在填補14nm與10nm晶元之間的空白，其實也是為了對標台積電12nm FinFET。三星對外宣稱性能提升了15%，單位面積的功耗降低了10%，但是各大網站都陸續發現了這次三星的11LPP不是開發的新工藝，而是一部分採用10nm BEOL(後端工藝)，大大縮小晶元面積，另一部分則沿用14nm LPP工藝的部分元素，來拼合而成的新11nmLPP。

看起來三星又在14nm工藝的晶元上換了個馬甲，Intel說的沒錯，你們幾家小廠子自己小打小鬧還亂取名字，活該落後我們整整一代的產品。

三星還給自家的產品制定好了發展路線，10nm晶元會用於旗艦手機，11nm用於中高端手機，以形成差異化，預計新的11nm晶元將會在2018年上半年投放市場。同時，三星也成為了市場上最先確認7nm的公司，三星的7nm LPP定於2018下半年量產，將會採用EUV極紫外光刻技術。

EUV光刻機

EUV技術雖然發展至今雖然正在逐步走向成熟，但仍是困難重重，但是三星表示，從2014年開始，基於EUV技術已經處理了200000片晶圓，並且目前在256Mb SRAM（靜態隨機存儲器）良率已經達到了80%。

Emmmmm~這個月好像各家公司都突然開竅了，不知道怎麼回事自己家的新工藝都成熟了，不過表面上雖然都宣傳的很強勁，但是具體幾分能耐也只有他們自己知道吧，我們作為消費者，我們就搬著小板凳靜靜等著產品發布吧~

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