10月26日，國產半導體廠商兆易創新宣布，將與合肥市產業投資控股（集團）有限公司合作開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目。繼福建晉華、合肥長鑫、長江存儲之後，國內DRAM產業又添了一名「猛將」，這將加強國產存儲，尤其是DRAM的陣型，為早日打破美日韓連隊的存儲包圍圈，做好充分的準備。

兆易創新插足DRAM

兆易創新的在其公告中顯示，為進一步推動公司發展，北京兆易創新科技股份有限公司與合肥市產業投資控股（集團）有限公司於 2017 年 10 月 26 日簽署了《關於存儲器研發項目之合作協議》，協議規定，雙方將在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝製程 19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發項目（以下簡稱「本次合作」或「本項目」），本項目預算約為 180 億元人民幣。

據公告規定，本項目內容為在合肥市經濟技術開發區空港經濟示範區內開展工藝製程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發，目標是在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的晶元占整個晶圓的比例）不低於 10%。

而按照項目產能的約定。在保證合法合規的前提下，項目研發及生產的 DRAM 產品優先供本公司銷售並滿足本公司客戶的市場需求，價格參照市場行情且給予最佳優惠。項目優先承接本公司 DRAM 產品的代工需求，為本公司設計產品的流片、生產提供支持與便利，價格參照市場行情且給予最佳優惠。

其實在早前，兆易創新為了進軍DRAM產業，幾乎達成了併購ISSI的交易，但由於某些原因，最終只能放棄交易。這次和合肥方面的合作，將會給兆易創新的 「DRAM夢」提供一個新的機遇。與此同時的還有挑戰。

兆易創新也在公告中指出，《合作協議》設定的目標實現所需技術難度高，成功與否存在不確定性。但包括兆易創新在內的眾多國產廠商投入到DRAM這個產業中去，對於中國電子產業來說是有非常重要的意義的。

我們這裡要看一下合作方合肥市產業投資控股（集團）有限公司，在之前，我們應該了解到合肥之前有一個DRAM項目，那就是合肥長鑫，這家公司的註冊資金五億元人民幣，全部來合肥市產業投資控股（集團）有限公司。因此這次兆易創新和他的合作，整合合肥長鑫和兆易創新的資源。對國產DRAM產業是一個重大的推進。

為何非做不可？

這其實是一個老生常談的問題。

DRAM作為電子設備的必備的一個零配件，擁有很重要的地位。尤其是最近一年來的暴漲，更是讓有關這個產品的報道也頻見報端。這也是從側面反映出了DRAM的重要。但在早前我們轉載一個行業分析師的文章《內存的戰爭》里中也有提到，這是一個高度壟斷的行業：

從數據上看，DRAM的主要市場玩家目前主要包括三星、SK海力士、美光等企業。其中三星更是獨霸。據DRAMeXchange於2017年2月的2016 Q4的數據顯示，三星以5,918M美元居首，市場份額佔47.5%；sk Hynix收入也達到3,330M，佔26.7%及Micron的2,421M，佔19.4%，Nanya的581M，佔3.1%，及Winbond的166M，佔1.3%與Powerchip的102M其中三星，海力士及美光為三大，共計佔有驚人的93.6%份額。

由上可以看到，三星、SK海力士和美光幾乎壟斷了所有的DRAM供應。在過往產品產能充足的時候，產品供應或者價格沒有那麼突出，這也能讓人接受。但在瘋狂漲價，某幾個廠商收割大比利潤之後，矛盾就變得更明顯了。

依據ICInsights的估計，2017年內存(DRAM)報價漲幅將到達39%。SK海力士最近一季度利潤暴漲了400%，反映了業界對DRAM的狂熱。但在這背後，僅有的幾個廠商卻沒有擴產意思。集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調查報告指出，進入第 4 季後，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規劃好 2018 年的發展。由於資本支出都趨保守，意味著大規模產能擴張已不可能，甚至製程技術前進的腳步也會緩下來。

DRAM 大廠在 2018 年的首要目標，就是獲得持續且穩定的利潤，價格至少維持 2017 年下半年的水準。三大廠都無法及時補足市場需求缺口的情況下，預計 2018 年 DRAM 供應持續吃緊，漲價依舊，消費者仍必須忍耐繼續花大錢購買產品的情況。

供應商關起們來數錢，這就讓DRAM消耗大戶——中國OEM廠商如履薄冰。於是國產DRAM加快了進度。

國產DRAM進展

在前面我們提到，除了新入局的兆易創新外，還有其他的DRAM玩家。我們來看一下其他國產DRAM的進展。首先是福建晉華項目。

去年7月份，台灣晶圓代工廠聯電與中國大陸福建晉華集成電路公司合作的12吋隨機存取記憶體（DRAM）生產線（晉華項目）正式開工。據報道，該項目1期擬投入53億美元，建設晶圓產線、產業鏈配套等，預計2018年9月試產，並達到月產6萬片的規模。

經過一年多的發展，目前晉華集成電路項目進展順利，截至5月初，總體主廠房P1部分頂板已經全部完成，P2部分頂板完成了60%。提前20天開展鋼結構吊裝，而土建方面比我們計劃提前了32天。

目前，聯電已經在南科廠組建超過100人的團隊，投入 DRAM 相關製程，設立小型生產線進行試產。整個專案由前瑞晶總經理、現任聯電副總經理陳正坤所領軍。第一期月產12英寸60，000片，投資370億元，於2018年9月達產，預計年銷售額12億美元。而項目的二期工程將在五年內擴產至月產120，000片規模。

但礙於之前與美光訴訟案的干擾，進度稍微落後，不過聯電高層跳出來澄清強調，尊重智慧財產權，不會偷技術，將於明年第4季完成第1階段技術開發。

今年五月，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預計由合肥長鑫投資72 億美元（約新台幣2,166.46 億元），興建12 吋晶圓廠以發展DRAM 產品，未來完成後，預計最大月產將高達12.5 萬片規模。據之前報道，該公司預計在2018 年第1 季安裝生產設備，並開始與晶圓供應商商談，以確保2018 年內獲得穩定的晶圓供應。

至於相關技術來源，推測當前合肥長鑫公司應沒有DRAM 研發能力，因此是從各大記憶體公司挖角來建構自己的技術能量。據了解，目前主要的技術來源主要有兩個團隊，一個團隊的員工主要來自SK Hynix 公司前員工，另一家則是前日本爾必達公司員工。

之前合肥長鑫也不斷招募台灣華亞科前員工。由於華亞科在2016 年被美光完全收購前，是全球繼三星、美光、SK Hynix 之外，第4 家有能力發展20 奈米製程DRAM 晶片的企業。根據之前的媒體報導，合肥長鑫已從華亞科挖走不少員工，甚至華亞科前資深副總劉大維也成了這家公司的員工。

來到長江存儲方面，這家由武漢新芯整合而來的公司在NAND FLASH方面進展不錯，至於DRAM方面，根據長江存儲執行副董的高啟全日前對外表示長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在研發自己的DRAM製造技術，報道還稱國產DRAM很有可能直接進入20/18nm先進工藝時代。

根據Digitimes報道，長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在開發自己的DRAM製造技術。至於國產DRAM內存到底是什麼技術水平，原文報道稱很可能直接進入20/18nm工藝——如果是真的，那麼這個技術水平確實很先進了，雖然三星兩年前就量產20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司今年才會完成製程轉換，而18nm目前就只有三星一家大規模量產，其他兩家還在準備中。

挑戰與機遇並存

我們看到，存儲的基於肯定存在的，但機遇與挑戰並存。這主要體現在技術、資金和人員方面。

業界人士透露，要做DRAM，不是只有廠房、機器設備以及挖人就好了，技術是最重要的關鍵，技術開發成功後，還要獲得客戶的認證通過。中國發展DRAM不是想像中這麼容易。

力晶董事長黃崇仁也認為，DRAM產業要發展已經變得非常困難，現在全球DRAM廠商用的都是老設備，成本比較低，現在要蓋一座新廠，成本是2倍之多，DRAM後面的投資越來越高，每顆晶粒的成本變的非常高，成本沒有辦法降低，20nm已經是瓶頸了，並不會持續微縮得到優勢，且5年來沒有DRAM新廠興建，未來更沒辦法與老廠競爭。

黃崇仁也表示，大陸想要做DRAM，看起來沒有這麼理想，除非美光技術授權，但現在看起來不可能，韓國廠商更不可能，而且中國政府不可能採用補貼的措施去扶植DRAM產業，絕對不會發生生產1顆補貼1顆的事情。

業界分析，DRAM專利技術門檻高，韓國三星、SK海力士與美國美光三大DRAM大廠技術防線守得緊、全力圍堵，量產更是打工程人力的團體戰，專利與工程人力兩大條件，中國大陸都欠缺，光靠砸錢挖角，技術卻無著落，是完成不了逆襲的，看來大陸要認真考慮一下新的發展DRAM方式了。

這次兆易創新的高調入局，會否給咱們國家的DRAM產業更新的激勵和進步呢？尚待觀察。不過對於兆易創新來說，從傳統的Fabless走向IDM，從Nor FLASH、MCU供應商走向DRAM，這可以說得上是一場豪賭。

文/半導體行業觀察編輯部

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1439期內容，歡迎關注。

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