中科院光電所在低缺陷密度紅外薄膜製備工藝方面取得進展

中國科學院光電技術研究所薄膜光學技術研究室在低缺陷密度紅外薄膜製備工藝方面取得進展：通過優化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。

紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學性能和其穩定性的重要因素，越來越受到國內外相關研究人員的關注。光電所研究團隊通過優化沉積沉積速率、沉積溫度和沉積方式，顯著降低了多層紅外薄膜的缺陷：多層紅外薄膜的缺陷密度降低了一個數量級。採用低缺陷密度工藝參數製備的164nm高反射膜，反射率大於99.9%，吸收小於100ppm。

該研究成果發表於Surface & Coatings Technology, 320(2017)。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！

本站內容充實豐富，博大精深，小編精選每日熱門資訊，隨時更新，點擊「搶先收到最新資訊」瀏覽吧！

請您繼續閱讀更多來自 MEMS 的精彩文章: