三星存儲擴產，中國廠商面臨激烈競爭

來源：本文由作者胡說投稿，謝謝。

早前，知名博主「飯桶戴老闆」寫了一篇名為《內存的戰爭》的文章，刷遍了作者的朋友圈。在文中他提到：三星充分利用了存儲器行業的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產過剩、其他企業削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產，通過大規模生產進一步下殺產品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產，世人稱之為「反周期定律」。在過去的發展史上，三星一共祭出過三次「反周期定律」，並成就了自己存儲老大的位置。 並在過去的一年裡獲得了高額的回報。

三星股票過去一年的走勢

國際知名分析機構摩根斯坦利（簡稱大摩）日前的一份報告中也表示，隨著「存儲周期」即將達到頂峰，三星的股票從2016年1月以來，已經大漲了120%，三星公司的營收也在過去的一年多內節節攀升。早前他們甚至將穩居半導體龍頭位置20多年的Intel拉下馬，成為半導體行業的霸主。

隨著缺貨和漲價的加劇，很多分析師認為三星的營收將會在未來繼續攀升，不過在摩根斯坦利看來，存儲周期的頂峰即將結束，到2018年，存儲行業將會遇冷。他們表示，在2017年第四季度，市場已經看到了NAND Flash價格開始翻轉的趨勢，至於DRAM的需求方面，也會在2018年Q1時候減弱。到了2019或者2020年，存儲的供應量將會大幅增加，屆時市場上將會出現供應過剩的風險，價格也就會隨之下跌。對中國正在打造的存儲供應商來說，這也許是一個技術以外的大挑戰。

存儲價格往下走幾成定局

摩根斯坦利的報告表示，有跡象表明，移動存儲和入門級SSD的價格從今年四季度開始，已經有了回落的趨勢，在於存儲產業鏈的人交流之後，他們認為NADN Flash面臨的降價幅度將會大大超過市場的預期。

在他們看來，NAND Flash的價格在2017年Q4就開始進入了動蕩期。這是由高價格引發的連鎖反應。NAND的供應逐漸也開始超過了需求。這主要是因為之前由平面轉向3D引致產能不足的問題已經有了初步緩解而導致的結果。他們認為到2018年Q1，NAND的平均價格將會同比下降19%。大摩認為NAND Flash的供過於求，將快速破壞現在的供需平衡，到下半年，屆時價格或許比現在低30%。這是他們基於一個模型預估出來的。

三星不同工廠的NAND差能

大摩也表示，到2018年，三星NAND FLASH的出貨量將會在同比增長36%，他們預測，三星2017年的增長主要是由平澤工廠的50K 3D NAND貢獻，到2018年Q4，這個數字將會達到100K。但是總體數量的增加應該還是個位數，根據大摩預測，到2018年，三星3D NAND的產量將會達到320K/月，同比增長了18%。

三星NAND的市場份額

對於DRAM，大摩還是比較積極。在他們看來，在未來的8到10個月內，DRAM的價格將會保持比較健康的水平，這一方面是由於中國的手機製造商推動將6GB DRAM引入到中低端手機，這將加大DRAM的需求，能夠保證DRAM的健康。在大摩看來，存儲在數據中心的穩定增長是會持續。

大摩認為三星DRAM的平均價格明年一季度將同比增長2%，而整個2018年的增長則會同比增長4%。在此期間，伺服器的需求會保持強勁，不過移動設備和PC的價格則將會下滑，但是我們對DRAM 在2018的價格走勢仍然表示樂觀。

大摩認為，三星DRAM出貨量在2018年的增長將同比提升18%，超過14%的預期。粗略估計，三星平澤工廠現在DRAM產能為20K每個月，到2018年，這個數字將會達到60K，通過擴充產能的方式，明年三星將會進一步鞏固其DRAM的市場份額。

據大摩預測，三星Line 11的30K DRAM產能將會轉變成10K CMOS。Line 16的平面NAND轉化為3D NAND，屆時將會引起產能驟減。三星方面也表示，將會把60K到70K的產能轉換為3D NAND。然後將剩下的平面NAND 產能轉換為30K DRAM。

從設備投資上看，三星平澤廠的2F West工廠的設備將會進場，那就意味著2018年，三星方面消耗的晶圓將會多50Kwpm。DRAM設備供應商東電最近的聲明中也表示，他們將2017年的DRAM方面營收預期從之前的10%改為50%。而大摩也透露，他們與三星的人交流之後獲知，他們平澤工廠的DRAM技術轉移已經基本完成，產能也基本上了正軌。現在，三星平澤廠的潔凈室已經建好，到2018年早些時候，他們可以有計劃地引入DRAM設備，這就會帶來更多的wafer擴產，這就意味著到2018年下半年，DRAM的價格可見下調。新增長的wafer產能至少能滿足他們明年的20%的增長目標。

預測2018年三星DRAM的營收將會增加24%，達到W45.7tr，佔了整體銷售的16%。運營利潤將會較之上年增長60%，

三星DRAM的全球佔有率

三星Fab的DRAM產量

客戶庫存達到了之前存儲周期的最高點

在存儲供應開始出現緊張的時候，客戶們一般都會做存貨緩衝，以免在缺貨嚴重的時候手足無措。但這往往會導致過度供應和價格驟減。

在對Apple, Cisco, Dell/EMC, Hon Hai, Inspur, HP, Hewlett Packard Enterprise,Lenovo, Quanta和Wistron這幾家主要的OEM廠商進行調研會後，我們發現，現在的庫存水平回到了2015年一季度的峰值。

2015年Q1的OEM庫存率

大摩表示，三星將會是存儲周期性衰落的最先受害者。

從大摩的報告中我們可以看到，存儲佔了三星運營利潤的60%，考慮到存儲的周期性衰落，他們認為三星將會迎來衰退的風險。根據過往的研究顯示，三星的股價波動與存儲的價格走勢密切相關。

三星的股價與DRAM的價格走勢密切相關

三星的股價與NAND Flash的價格密切相關

不過摩根斯坦利也強調，三星在來年會有23%的年增長率，這看起來雖然不錯，但與2017年的95%相比，則有了明顯的回落。他們也表示，對三星的看衰，跟三星本身的企業模式沒有太大的關係。日益衰退的PC產業也給三星的未來蒙上一層陰影。不過根據以往的經驗，最後的結果或未可知。

中國正在崛起的存儲或面臨激烈競爭

從戴老闆的文章中我們可以看到，美國、日本和台灣幾乎都成為了三星存儲發展路上的墊腳石。而從上面大摩報告顯示，三星從過去的一年多的存儲大漲中掙到了個盤滿缽滿。而現在，製程轉移已經完成，價格開始下跌，但正是在這個時刻，中國一眾新建存儲廠商的產品或許在未來幾年開始陸續有面世。從這個方面綜合看來，三星存儲的價格走勢，會是中國存儲崛起的一個大挑戰。

首先拿 NAND Flash來說。

紫光集團旗下的長江存儲正在大力投入3D NAND Flash的研發中去。長江存儲的高啟全今年4月接受Digitimes採訪的時候表示，他們在武漢已齊聚500名研發人員投入3D NAND的研發，今年年底提則會提供32層3D NAND的樣本，這將會是長江存儲技術自主的一個里程碑。之後會從事64層技術，待該技術成熟後，長江存儲才會投入3D NAND量產。

高啟全表示，屆時與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術差距會縮短至一代左右。

在11月19日，紫光集團董事長趙偉國接受央視《對話》採訪中說到，長江存儲聚合1000人，研發了2年，並投入了十億美元，終於研發出了32層的64G存儲晶元。而在問到與國際差距的時候，趙偉國回應：「如果說第一名是賓士寶馬的話，排第二的大概是奧迪，我想到2019年我們就達到帕薩特的水平，它跟賓士寶馬還是差一些，但是基本上都有了，相當於在市場上有一席之地了。」對於長江存儲來說，如果在這個緊要的關頭，面臨三星等國際大廠的低價衝擊，市場方面的優勢是非常小的。

也許會有人問，為什麼不會推動國內企業支持國產晶元。

舉個例子：假設兩個產品一高一低，如果低那個質量不會差太遠，你也許會為了成本而去嘗試；如果你兩個東西價格一樣。在完全競爭的市場環境下，一個已經經過多年驗證的成熟產品和一個新產品，你會選擇哪個？答案是不言而喻的。因此編者認為三星在大掙特掙一年之後，再將其產能拉上去，或多或少是在阻止中國存儲的崛起。

來到DRAM方面，一樣的道理。不過由於DRAM的開發技術難道較之NAND Flash會更高，國內DRAM產業的發展就會相對落後很多，而三星的DRAM價格同事卻沒有跌得那麼快。綜合三星這兩個存儲主力產品的發展走勢，對國內的存儲產業來說，剛出生就要面臨巨大的壓力，挑戰可想而知。

但是，存儲作為一個重要的半導體器件，佔了集成電路產值的三分之一，對於擁有眾多OEM廠商的中國廠商來說，非常重要。如何推動自主可控產品的發展，就成為當代中國集成電路工作者關注的重點。當然，發展的過程中根本不可能期望競爭對手對自己仁慈，如何找准自己的發展道理，推動自己的發展，才是成功的關鍵。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1492期內容，歡迎關注。

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