三星正在量產業內第一款第二代10納米級DRAM！

三星電子今天宣布，已經開始批量生產業界領先的10納米級（1y-nm）， 8-gigabit (Gb)的DDR4 DRAM的第二代產品。

對於上一代產品來說，新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM晶元最高的性能和能源效率，以及更小的尺寸。

三星電子方面表示：「通過開發DRAM電路設計和工藝技術的創新，我們已經突破了DRAM擴展性的主要障礙。通過第二代10nm級DRAM的快速增長，我們將更加積極地擴展我們整體的10nm級DRAM的產品產能，以適應強勁的市場需求，並繼續加強我們的業務競爭力。」

三星的第二代10納米級8Gb DDR4比第一代10納米級8Gb DDR4的生產率提高了近30%。

此外，由於採用了先進的專有電路設計技術，新的8Gb DDR4的性能水平和能效分別提高了約10%和15%。新的8Gb DDR4每個引腳可以以每秒3,600兆比特（Mbps）的速度運行，而該公司的1x-nm 8Gb DDR4的速度為3200Mbps。

為了實現這些成就，三星應用了新技術，而不使用EUV工藝。這裡的創新包括使用高靈敏度的細胞數據感測系統和漸進的「空氣間隔」方案。

在三星第二代10nm級DRAM的單元中，新設計的數據感測系統可以更準確地確定每個單元中存儲的數據，從而顯著提高電路集成度和製造效率。

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