三星將量產最強64層3D快閃記憶體！

目前三星是全球最大的NAND快閃記憶體晶元製造商，為了繼續擴大規模和市佔率，他們將要加大相應的投入。

韓國媒體給出的報道稱，三星將從7月份開始運營位於韓國京畿道平澤市的新半導體工廠。這是全球規模最大的晶元工廠，佔地289萬平方米，而在這裡三星量產第四代3D
NAND快閃記憶體晶元，該晶元垂直堆疊達到64層。

新工廠從2015年開始建造，耗資15.6萬億韓元(約合136億美元)。平面和垂直NAND快閃記憶體晶元的總產能預計將達到每月45萬片晶圓，3D
NAND快閃記憶體晶元將佔據一半以上。

IHS Markit發布的報告顯示，三星去年在NAND快閃記憶體晶元市場的份額從2015年的32%增長到了36.1%。

三星第四代立體堆疊的V-NAND晶元可實現單獨晶粒（DIE）512Gb
(64GB)的存儲容量，單獨晶粒數據傳輸速度可達100MB/S。