三星2020年推16nm DRAM內存，15nm恐成DRAM終點

三星不僅是智能手機市場的老大，更重要的是三星還掌握了產業鏈至關重要的DRAM內存、NAND快閃記憶體及OLED屏幕，這三大部件上三星遙遙領先其他對手，手機OLED面板上更是佔據95%以上的份額。在DRAM內存市場上，三星不僅產能、份額最高，技術也是最領先的，去年率先量產18nm工藝，今年將完成17nm DRAM內存研發，2018年量產，2020年則會推出16nm工藝的DRAM內存晶元。

在18nm工藝之後三星還將開發17nm、16nm DRAM晶元

與CPU等晶元相比，DRAM內存在20nm節點之後也放緩了速度，線寬減少越來越困難，40nm工藝的DRAM內存晶元線寬減少約為5-10nm，20nm工藝的線寬減少就只有2-3nm了，更先進的工藝減少線寬就更困難了。業界預計15nm節點將是（傳統）DRAM內存的終點，未來DRAM的技術門檻會越來越高。

三星在DRAM技術上依然比其他廠商更先進，2016年3月底三星就宣布量產18nm工藝DRAM內存晶元，後面還會繼續發展新一代工藝。來自韓國ETNews的消息稱，三星18nm工藝開發代號為Pascal（帕斯卡），現在則在開發代號為Armstrong（阿姆斯特朗）的17nm工藝，預計今年底正式完成研發，2018年正式量產17nm工藝。

未來兩年三星還會研發代號Kevlar（凱夫拉）的16nm工藝，預計在2020年早些時候大規模量產。

三星現在的產能主力還是20nm工藝（代號Boltzmann，玻爾茲曼），18nm產能正在穩步提升，預計明年18nm工藝就會佔據主要份額。

「在1x（18nm）、1y（17nm）及1z（16nm）工藝之後，DRAM內存製造工藝還會減小到1a、1b、1c、1d等」，三星電子DS設備解決方案部門的經理Jung Eun-seung稱三星需要開發與現有材料不同的、新的半導體材料，還要提高製程工藝的穩定性以便能大規模量產。