三星Galaxy S8首拆：用了東芝的快閃記憶體

昨晚，iFixit正式發布了三星Galaxy S8、S8+的拆解報告。在拆解報告中，iFixit指出三星在Galaxy S8和Galaxy S8+上面都使用了來自東芝的UFS快閃記憶體。至於可維修性，iFixit為這二者均給出了4分的評價，也就是說不太容易維修。

在拆解後，iFixit也對Galaxy S8系的主板進行了分析，二者均採用了三星的K3UH5H50MM-NGCJ的RAM晶元。根據三星官方的信息，這款內存晶元為最新的LPDDR4X規格。

至於快閃記憶體晶元，Galaxy S8、S8+則並沒有如我們預期採用三星自家的產品。前者選用了來自東芝的THGBF7G9L4LBATR，Galaxy S8+的則是東芝的THGAF4G9N4LBAIR。根據東芝方面的信息，S8內置的為UFS 2.0標準而S8+內置的則是UFS 2.1標準。

從拆解結果可以看出，Galaxy S8和Galaxy S8+的區別並不僅限於屏幕尺寸和內置電池容量。其內置存儲晶元的性能規格也是存在明顯差異的，所以若是想要最頂尖的性能，那麼還是選擇Galaxy S8+會更好。

至於其他值得注意的方面，則包括了強力粘合劑組裝的機身使得整機拆解並不簡單，並且曲面屏設計使得單獨更換屏幕玻璃而不損壞屏幕本身極其困難。所以即便Galaxy S8本身內部採用了諸多模塊化設計以方便更換和維修，整機的可維修指數也並不算高。