國產14nm工藝難關已攻克：明年將量產
自主晶元的研發，已經上升到國家的高度，在這個領域尋求更大的突破和發展，是國內科研人員目前集體努力的方向。
在昨天舉行的「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」活動上，集成電路專項技術總工程師葉甜春對外表示，國產14nm工藝已經攻克難關，將在明年投入量產。
葉甜春強調，通過2萬科技工作者9年的艱苦攻關，終於研製成功14nm刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平，通過了大生產線的嚴格考核，開始批量應用並出口到海外，實現了從無到有的突破，填補了產業鏈空白。同時，製造工藝與封裝集成由弱漸強，技術水平飛速跨越，國際競爭力大幅提升。
此外，葉甜春還給出了接下來國產晶元的發展規劃，「十三五」將重點支持7-5nm工藝和三維存儲器等國際先進技術的研發。
之前產業鏈給出的消息稱，中芯國際已經開始啟動7nm工藝製程研發，並與北方華創、中微建立了長期合作關係。目前，三星、TSMC及Intel已經完成了7nm工藝研發，準備在2018年後量產。
稿源：快科技
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