格羅方德於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資

根據財經雜誌 《福布斯》 的報導，全球第二大晶圓代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES，中國稱格芯）位於四川成都高新區西部園區的晶圓代工廠興建工程，目前已經獲得成都市政府 1 億美元的投資。

而該座晶圓廠預計將採用 22 納米 FDX的製程，目前已完成 100% 土建工程，以及 50% 以上樁基工程，將於 2018 年 3 月前完成建廠工程。

預計完成之後，將成為格羅方德首座位於中國境內的 12 寸晶圓廠。

過去，《科技新報》曾報導過，該項總投資金額高達 100 億美元，代號稱之為 「Fab11」 的 12 寸晶圓廠投資計劃，共分為兩期。

一期建設主流 CMOS 製程的 12 寸晶圓生產線，預計 2018 年底投產。二期建設則採用格羅方德最新 22FDXR 22nm FD-SOI 製程的12寸晶圓生產線，預計 2019 年第 4 季度投產。

據了解，格羅方德在四川成都的「Fab11」的 12 寸晶圓廠完成之後，將是格羅方德在全球的第 11 家晶圓代工廠，也是中國西南地區首條 12 寸晶圓生產線，而且建成後將成為世界上體量最大的晶圓代工廠之一。

而根據 《福布斯（Forbes）》 的報導指出，格羅方德雖然已經在全世界各地擁有不同製造流程的晶圓廠。

但是，對於一些新興客戶，以及包括電池供電性能一般的客戶，特別是中國的客戶來說，先進位程的成本可能會令他們望而卻步。

由於價格敏感性，使得客戶們開始關注在較為成熟的製程上，藉由較低廉的價格和成熟技術，更符合這些客戶們的需求。這就是格羅方德創造使用 22 納米 FD-SOI 技術 22FDX 製程的原因了。

格羅方德表示，22FDX 以 28 納米平面技術為基礎，提供類似 FinFET 的性能和能效。

不過，22FDX 的成本非常低，它的裸片尺寸比 28 納米小 20%，光罩比 28 納米小 10%，同時還要求比 FinFET 製程少近 50％ 的浸沒式光刻層。

使得 22FDX 針對更具成本敏感性的應用，如物聯網、低端移動功能、無線連網和 RF 射頻連接等提供生產技術，而這些領域就剛好是中國市場目前正積極發展的項目。

報導中進一步指出，目前科技大廠在中國的投資方式，除了大規模金額的建設投資之外，就是與合作夥伴分享智能產權，而其中也不少企業是兩者都有。

而這樣的動作，就是為了吸引一些政府的資金能夠加入投資項目，如此一來，不僅大幅提高獲得中國本土客戶青睞而下單的機會，也能成為企業在中國持續成長的另外保障。

這就是格羅方德會在 2017 年 2 月宣布，他們將與成都政府合作在成都建廠的原因。

而除了能服務客戶之外，格羅方德與成都市政府共同合作在成都建立晶圓廠的原因，就是希望 IC 設計公司能藉此來到成都投資設廠，並將成都發展成一個以移動通訊、物聯網、汽車、射頻連接為主要領域的半導體設計與製造中心，以逐步達成中國計劃在 2025 年時建立國產晶元產業的目標。

來源：TechNews科技新報

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