速率高達1Gbps！三星宣布量產64層V-NAND快閃記憶體晶元
想不到吧？其實三星電子在2017年1月份時已經開始向自己的主要IT客戶開始正式量產256GB基於64層 V-NAND晶元的固態硬碟了；而這64位的V-NAND晶元基已經被認為是世界上第四代V-NAND晶元，其最高的數據傳輸速率達到了1Gbps，並且具有業界最短500微秒（?）的燒錄器燒錄單個晶元的時間（tPROG），這個數據要比現在10nm級的NAND快閃記憶體速度要快將近4倍左右。
這樣的數據也要高於三星此前最快的基於48層三位256GGB V-NAND快閃記憶體的速度快了約1.5倍。
此外，與三星電子此前的48層256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb 3-bit V-NAND提供了超過30%的生產率增益。而64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3伏相比，在能量效率方面也有約30%左右的提升，而全新的V-NAND電池的可靠性與前代相比也增加了約20%。
三星未來還將通過堆疊超過90層的單元陣列，以生產具有1Tb以上容量的V-NAND晶元。雖然秀了半天肌肉，小獅子還是更關心這固體硬碟的價格什麼時候才能降到我們喜聞樂見的價格啊。
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