三星宣布第四代V-NAND快閃記憶體晶元開始大規模量產
三星日前在韓國正式宣布該公司即日起開始大規模量產 64層堆疊並且容量達到256Gb的 V-NAND 快閃記憶體晶元。
同時該類型的V-NAND快閃記憶體晶元不僅是用於SSD固態硬碟， 還會用於內存卡、UFS快閃記憶體以及其他外置存儲卡。
作為三星的第四代V-NAND快閃記憶體晶元其帶寬速度高達1Gbps， 同時其供電電壓已經從3.3伏特降低到2.8伏特。
事實上早在今年1月份三星就開始在企業級設備上部署第四代VNAND快閃記憶體晶元，在經過一大段時間的測試和產品適應後終於輪到消費級產品了。
三星公司稱第四代V-NAND快閃記憶體晶元將會陸續開始應用在消費級產品， 預計很快就可以看到此類型的產品了。
至於售價方面自然會繼續上漲，目前內存和硬碟產品價格都在不斷地上漲，如果想要擼一塊的話可以考慮等等到年底再看看。
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