第四代3D NAND快閃記憶體：存海量高清、玩大型遊戲，不必再等待
據報道，三星電子最快將從6月末開始在京畿平澤半導體工廠內開始批量生產第四代256Gb V-Nand，成為全球第一家量產第四代3D NAND晶元的廠商，同期，也有其他廠商計劃在年內量產其3D NAND快閃記憶體晶元，但遲遲不見公布日期。
相比上一代3D NAND晶元而言，第四代產品擁有更大的存儲容量，更快的速度，尤其在越演越激烈的競爭中，其價格也將越來越親民。
隨著科技高速發展，很快就能實現一塊普通的固態硬碟達到TB級，到時候大家的移動設備將更海量、更快速、更輕便。我們甚至可以隨時隨地看本地存儲的高清電影，玩大型遊戲也不必再等待。
容量更大
第四代V-NAND的晶元堆疊層數由第三代的48層增加至64層，單晶粒的存儲容量達64GB。此前，東芝在年初也發布了64層的BiCS FLASH 3D快閃記憶體，單晶粒存儲容量也是64GB。而SK海力士在今年4月份宣布，已經成功研發出第四代3D-V4，擁有驚人的72層堆疊（TLC），領先於三星和東芝的64層，只不過至今未量產。
在3D快閃記憶體領域，Intel/美光是來得最晚的，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，它是第一款採用FG浮柵極技術量產的，在成本及容量上更有優勢，其MLC類型快閃記憶體核心容量就有256Gb，而TLC快閃記憶體則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND快閃記憶體中容量最大的。
基於堆疊層數越多，存儲密碼越大，一片已經封閉好的快閃記憶體晶元的容量就可高達512GB，只要兩顆晶元，一塊M.2固態硬碟的存儲容量就能達到1TB。
速度更快
三星第四代V-Nand晶元數據傳輸速度高達1Gbps，燒錄器燒錄單個晶元的時間（tPROG）僅需要500?，比10 nm級的平面NAND快閃記憶體快了約四倍，比第三代V-NAND快了約1.5倍。
市面上，M.2介面NVMe協議的固態硬碟，256G版本持續讀取速度高達2000MB/s、持續寫入速度高達900MB/s。隨著容量越大，其數據傳輸速度會更快，1T版本持續讀取速度已經能夠達到驚人的3200MB/s，持續寫入速度最快達到1800MB/s。
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