西數力挺QLC:首發96層3D NAND快閃記憶體
新聞
06-28
SLC、MLC及TLC這三種快閃記憶體晶元,大家都很清楚,但接下來QLC快閃記憶體晶元要開啟它的逆襲之路,而西數已經率先做出表率。現在,西數全球首發了96層堆棧的3D NAND快閃記憶體,其使用的是新一代BiCS 4技術(下半年出樣,2018年開始量產),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
堆棧的層數越多,3D NAND快閃記憶體容量就越大,成本越低,但這次西數的96層堆棧快閃記憶體核心容量是256Gb,遠不及64層堆棧的512Gb(TLC)核心容量,大家猜猜西數使用的是MLC還是TLC?
西數已經用實際行動表明會支持QLC,而接下來三星、Intel、SK Hynix等廠商也勢必會跟進,或許很多用戶都懵了,為何廠商會跟進可靠性、壽命比TLC還差的QLC。
最直接的一個問題還是價格,TLC能夠解決SSD容量瓶頸,卻解決不了SSD價格的難題,大容量SSD仍舊貴,小容量SSD+大容量便宜的HDD終究沒有單純大容量SSD來得好,再說隨著容量的增加、技術的改善,TLC快閃記憶體也並沒有想像中那麼容易寫死。
所以SSD行業要開始變天了,大家期待嗎?
QLC快閃記憶體單位存儲密度是TLC的2倍,單顆晶元可達到256GB甚至512GB。但是,QLC快閃記憶體的電壓更難控制,寫入速度更低,可靠、穩定性及壽命比TLC更差。
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