TSMC進軍存儲晶元：不搞NAND、DRAM，要玩eMRAM/eRRAM

在半導體業界，Intel、三星及TSMC三足鼎立，雖然他們在先進的製程工藝上競爭激烈，但實際上三方的直接競爭並不多，Intel的處理器基本是自產自銷，三星跟TSMC在代工上有競爭，但是TSMC一家佔據全球60%的代工份額，三星半導體更重要的是NAND、DRAM快閃記憶體。早前TSMC表態不會進入NAND、DRAM等標準型存儲晶元市場，但不代表他們不做存儲晶元，最近他們公開了研發多年的eMRAM及eRRAM存儲晶元，最近今年底就開始試產，未來一兩年量產。

以TSMC全球最大最先進的半導體代工廠地位，他們要是做NAND快閃記憶體晶元的話.....這個問題不止一個人關心過，早前還有傳聞稱TSMC參與競標東芝NAND業務，但是TSMC官方對此事的表態倒是很理性，聯席CEO魏哲家早前就明確了他們不會做標準型存儲晶元，也就是說大眾化的NAND快閃記憶體、DRAM內存不是他們的重點。

不過不做標準型存儲晶元不代表他們不做存儲晶元，TSMC搞的只是新型存儲晶元，比如MRAM磁阻式隨機存儲晶元、RRAM電阻式隨機存儲晶元等等。TSMC據傳早在2000年就跟台灣工研院合作開發此類晶元，但是新一代存儲晶元喊了多年了，目前依然沒能走出實驗室階段，商業化還遠著呢。

TSMC技術長孫元成最近在TSMC技術論壇大會上首次透露了他們研發的eMRAM、eRRAM等存儲晶元的進展，前綴的e表示這兩種晶元是針對嵌入式市場看法的，它們主要用於IoT物聯網、汽車電子、高性能電腦、智能汽車等市場。

根據台經濟日報整理的數據，TSMC的eMRAM晶元將使用28nm工藝製造，預計在2018年底試產。eRRAM晶元則使用40/22nm工藝生產，今年底試產，2019年量產。

搞MRAM晶元的代工廠實際上也不止TSMC一家，三星早前宣布4nm工藝時也提到了會針對物聯網市場推出28nm FD-SOI工藝，也會生產eMRAM存儲晶元。Globalfoundries早前公布的22FDX工藝也同樣針對低功耗的物聯網市場，也會推進eMRAM晶元研發生產。

國內的中芯國際也針對下一代存儲晶元布局了，今年初他們宣布已經出樣40nm工藝的ReRAM晶元，這種晶元密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單晶元（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。

目前NAND、DRAM發展的如火如荼，MRAM、RRAM等新一代晶元不過是小荷才露尖尖角，大規模商業化還很遠，但是發展前景被人看好，未來的存儲晶元同時具備RAM和快閃記憶體技術的優點，性能更強而且數據不會丟失，大家要想了解更多信息，可以加小超哥（id:9501417）微信諮詢。

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