印度科學研究院初步獲准投資5億美元建立硅基氮化鎵製造廠，滿足軍事和工業發展需求

印度政府對於印度科學院（IISc）投資5億美元建立一個氮化鎵（GaN）製造廠的提案給予了初步批准。該製造廠將由副教授Srinivasan Raghavan負責，建在IISc的納米科學和工程中心（CeNSE）現有實驗性製造設施中，用於製造基於硅的GaN，滿足產業界對GaN技術的需求。

CeNSE的GaN實驗設施

2015年印度總理納倫德拉·莫迪為CeNSE的GaN實驗性製造設施揭幕。該製造設施目標是為印度建立一個GaN電子器件研發的生態系統，包括材料、器件和系統。CeNSE已向印度的研究人員了其製造的部分GaN基晶體管。

資金投入

CeNSE的S A Shivashankar教授表示：「該提案目前處於政府最高等級，它大約需要300億盧比（約5億美元），被視為戰略投資的一部分。」

意義

GaN半導體能夠用於包括主動電子掃描陣列（AESA）在內的相控陣雷達，這些雷達用於超現代戰鬥機。藍光信息存儲系統和一些高功率和高速電子設備同樣也用GaN器件。

印度國防研究和發展組織（DRDO）固態物理實驗室主任R K Sharma說：「在IISc建造一個生產GaN的製造廠是一個非常好的事情。GaN技術將在實質上幫助下一代雷達、導引頭和通信系統的研發，還將在輕型戰鬥機等系統中發揮作用。我們對於戰略目標的需求是高能效系統，GaN是最佳答案之一。例如，將成為未來安全系統的無人機將對能效提出非常高的要求。」此外，Sharma補充道，中國等國家正在以國家級戰略的方式發展半導體系統，印度也應該這樣做。

項目負責人Srinivasan Raghavan教授表示：「全球功率電子器件市場是360億美元。隨著功耗的增加，對功率電子的需求也將上升。因此，當你開始著眼於氮化鎵基材料時，你將看到對更大功率電子市場的潛在影響。我們在IISc建立一個GaN平台，在這上面很多事情都可以快速發芽生長。」

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