中微半導體成唯一進入台積電 7nm 製程的大陸本土設備商

集微網消息，因 10nm 製程遭遇前所未有的挑戰，故全球半導體產業紛紛將重要資源投入在 7nm 製程上，台積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開始布局。據台媒報道，目前台積電的 7nm 布局最積極，近期台積電更是轉變了 7nm 製程設備的採購策略，將應用材料( Applied Materials )、科林研發( LAM ) 、東京威力科創( TEL )、日立先端( Hitach )、中微半導體 5 大設備商均納入採購名單，致力平衡 7nm 製程設備商生態價格。

值得注意的是，中微半導體是唯一進入台積電 7nm 製程蝕刻設備的大陸本土設備商。據悉，中微與台積電在 28 nm 製程時便已開始合作，並一直延續到 10 nm 製程，以及現在的 7nm 製程。未來，中微也將與台積電跨入下一世代 5nm 合作。此外，中微也將與聯電展開 14 nm 工藝製程的合作。

為符合大陸半導體設備國產化的政策目標，2016年，有兩家大陸半導體設備商獲得國家集成電路產業基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導體，獲得 4.8 億元投資；另一家是上海微電子設備(SMEE)。

今年4月，中微半導體 CEO 尹志堯在公共場合表示，目前中微半導體在全球各地已經建置共計 582 台刻蝕反應台，並預期今年將增長至 770 台。目前中微半導體產品已經進入第三代 10nm、7nm 工藝，並進入晶圓廠驗證生產階段，即將進入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。

據尹志堯透露，過去幾年公司銷售維持 30-35% 增長率，預期 2017 年增長率將達到 80% 。2017年，中微銷售將達 11 億元人民幣，在此基礎上，未來十年將持續開發新產品，擴大市場佔有率，中微的目標是：2020 年 20 億元、2050 年 50 億元，並進入國際五強半導體設備公司。

目前，中微有 460 多個介質刻蝕反應台，並在海內外 27 條生產線上生產了約 4000 多萬片晶圓；同時，中微還開發了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機；此外，中微還開發了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蝕設備，不僅佔有約50%的國內市場，而且已進入台灣、新加坡、日本和歐洲市場，尤其在 MEMS 領域擁有意法半導體（ST）、博世半導體（BOSCH） 等國際大客戶。

在專利方面，中微共申請了超過800件相關專利，其中絕大部分是發明專利，目前有一半以上已獲授權。

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