SK hynix 砸錢擴產！3D NAND 恐過剩，DRAM 漲勢畫句點？

存儲器進入製程轉換，產能大減，從去年下半到今年上半以來，DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%，難怪業者無不撒錢擴產。但是 IC Insights 警告，過度投資恐怕會導致產能過剩。

韓媒 etnews 報導，韓國存儲器大廠 SK 海力士（SK hynix）26 日表示，今年將斥資 86.1 億美元（約 9.6 萬億韓元），進行設備投資。此一金額比年初宣布數字高出 37%，也比該公司去年的設備投資總額高出 53%。

SK 海力士撒錢，是想讓新廠提前完工。該公司主管 Lee Myung-young 說，生產 DRAM 的中國無錫廠和生產 NAND Flash 的韓國清州（Cheongju）廠，原定完工時間是 2019 年上半，如今將提早至 2018 年第四季，比預定時間提早半年。

SK 海力士強調，新廠落成後，存儲器產出不至於暴增，估計 DRAM 和 NAND Flash 產能只會增加 3~5%，呼籲市場放心。業界人士認為，這是因為資金多用於技術升級。

然而存儲器業者大手筆投資，仍讓 IC Insights 憂心忡忡。該機構 18 日新聞稿稱，存儲器以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK 海力士、美光、英特爾、東芝 / SanDisk、武漢新芯（XMC） / 長江存儲（Yangtze River Storage）都大舉提高 3D NAND Flash 產能，未來可能還有中國新業者加入戰場，3D NAND Flash 產能過多的可能性「非常高」（very high）。

此外，DRAM 和 NAND 的價格漲勢也逐漸放緩（見下圖）。儘管 DRAM 均價漲勢在 2016 年第四季觸頂，但是直到 2017 年 Q2 仍表現強健。IC Insights 估計，今年 Q3 DARM 均價將略為上揚，Q4 則微幅下跌，代表 DRAM 上升循環告終。

（Source：IC Insights）

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）

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