東芝全球首發QLC快閃記憶體：壽命堪比TLC
IT之家7月4日消息 東芝日前發布世界首個基於QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND快閃記憶體晶元。對於快閃記憶體技術的未來發展而言，這可謂是相當重大的消息。
NAND快閃記憶體目前已經發展出了四種形態：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高；MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用於高端和企業級產品；TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短；QLC四比特單元，自然延續了這一趨勢。
在曾經的一段時間裡，從TLC升級到QLC看上去似乎難度頗高，因為精確區分電荷電平所需要的生產精度是會成倍增加的。但在自己最新的3D NAND快閃記憶體當中（使用了64層堆棧式QLC存儲單元），東芝就成功做到了這一點。
東芝的QLC技術實現了每快閃記憶體顆粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出，新的QLC顆粒能以16顆粒封裝，從而實現單設備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨一個單元的最大容量。
東芝宣稱，他們的QLC NAND擁有多達1000次左右的P/E編程擦寫循環，大大高於業界此前幾年預計的100-150次，幾乎已經和TLC快閃記憶體旗鼓相當。
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