三星公司發布128 TB SSD與kinetic式快閃記憶體驅動器設計方案

三星公司將快閃記憶體容量提升至新的高度。

三星公司的下一代小尺寸 SSD

三星公司已經放出四條快閃記憶體公告，分別為高容量晶元、高速驅動器、新型封裝格式以及希捷Kinetic磁碟概念的一套快閃記憶體版本。

首先是三星公司利用其V-NAND 3D NAND技術打造的1 Tb快閃記憶體晶元。順帶一提，東芝公司也推出了其64層512 Gb晶元設計方案，並公布了利用QLC（即四層單元）技術構建的786 Gb晶片。目前東芝與西部數據也已經打造出96層晶元原型設計，並開始討論1 Tb晶元技術。

三星公司預計其1 Tb晶元將於2018年年內推出，並應能夠在堆疊有16塊1 Tb晶片的V-NAND封裝內實現2 TB存儲容量。我們猜測這有可能將目前的三星V-NAND SSA存儲容量提升一倍。

在新聞發布會上，三星公司談到了一款採用QLC（四層單元）技術並包含有32塊堆疊晶元、可實現各晶元並行訪問的128 TB SAS快閃記憶體驅動器。

NGSFF

三星公司認為目前的2.5英寸與M.2外觀形式並不適合小型1U伺服器的實際需求，並認為有必要推出新的安裝格式——其能夠實現更高快閃記憶體存儲容量與IOPS水平。三星方面將其稱為下一代小型尺寸，簡稱NGSFF，且目前已經公布了一款16 TB NGSFF驅動器樣品。

三星NGSFF SSD

這款快閃記憶體卡的尺寸為30.5毫米x 110毫米x 4.38毫米。相比之下，M.2格式為12到30毫米寬，長度則為16到110毫米，而且大部分已發布快閃記憶體卡為22毫米寬，30到110毫米長。三星公司的NGSFF在尺寸上基本接近最大的M.2存儲卡。長度與/或寬度超過此水平的存儲卡能夠安裝更多快閃記憶體晶元。

三星公司提供一套1U 576 TB伺服器參考系統，其中包含36塊16 TB NGSFF卡，其可提供約1000萬隨機IOPS，相當於採用2.5英寸SSD的1U伺服器的三倍。

其計劃於2017年第四季度實現NGSFF卡量產，並逐步推動此格式實現標準化。

三星公司公布了一款SZ985 Z-SSD產品。

該公司在去年的快閃記憶體存儲器峰會上公布了其超越基礎NAND速度表現的Z-SSD。其似乎屬於一類配合有NVMe介面的優化型SLC（即單層單元）快閃記憶體類別。Z-SSD的定位與英特爾/美光打造的3D XPoint技術相同，憑藉著25微秒的極低延遲水平提供四倍於當前標準NVMe快閃記憶體的速度表現。

SZ985擁有15微秒讀取延遲，相當於NVMe SSD的七分之一，因此能夠將系統響應時間縮短至原本的十二分之一。根據三星公司的說法，其希望可將這款產品推向數據中心與需要採用實時「大數據」分析及高性能伺服器緩存的企業系統。

這將直接衝擊英特爾打造的P4800X Optane驅動器。

另外，我們還期待著第二代Z-SSD能夠採用MLC（雙層單元）設計。

三星公司公布的第四條新聞為一款鍵值SSD。

初創企業OpenIO伺正在開發一款配備有ARM CPU前端的磁碟驅動器，旨在提供直接乙太網介面並在驅動器之內存儲鍵：值對象。這一設計思路源自希捷公司此前發布的Kinetic磁碟驅動器概念——其同樣提供直接乙太網介面以及內置鍵：值存儲機制。

三星公司認為，如果能夠直接存儲數據對象而無需將其轉換為邏輯塊並與物理塊進行映射，那麼SSD將能夠提供更快速度讀取與交付速度。單一數據條目將被賦予一個鍵以作為其直接地址，且與其具體大小無關。

三星公司指出，如此一來，當數據進行讀取或者寫入時，鍵值SSD將能夠降低冗餘步驟，從而帶來更快的數據輸入與輸出速度，同時顯著提升SSD的使用壽命。

不過三星方面還需要努力推動與軟體及應用程序合作夥伴的協作，從而真正使此類快閃記憶體存儲為市場所接納。我們還記得，Scality公司此前曾對Kinetic設計思路表示支持——這應該會促成其與三星公司間的合作。

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