DRAM、NAND、NOR搶貨、包產能，GD向中芯投片暴增4倍

日前，由於受智能手機AMOLED新增需求、觸控IC及驅動IC整合單晶元帶動的NOR-Flash需求，加上全球NOR-Flash每月投片約僅約8.8萬片，高度定製化與產能不易擴張的影響下，根據全球市場研究調查機構TrendForce內存儲存研究（DRAMeXchange）日前研究報告指出，NOR-Flash供不應求的格局持續，而且預估2017年第3季NOR-Flash價格將上漲兩成。不過，之後這樣的情況，在當前NOR-Flash的市場價格破壞者兆易創新（Gigadevice）加強投片的情況下，恐怕將會有所改變。

根據DRAMeXchange日前的研究指出，觀察全球NOR-Flash供給狀況，目前全球兩大供貨商賽普拉斯半導體（Cypress）和美光(Mircon)，一方面在賽普拉斯確定逐步淡出NOR-Flash市場，賽普拉斯半導體轉向為專註在車用和工規的市場。另外，美光也將專註在DRAM的生產之後，逐步推出NOR-Flash的市場經營，導致自2016年下半年以來，市場出現供不應求的現象。使得產品價格節節上揚，也進一步推升旺宏、華邦電以及兆易創新的市佔率。

以目前營收為市佔率計算基準來看，賽普拉斯市佔率為25%，排名第一，旺宏市佔率24%，排名居次，美光市佔率18%，排名第三，之後才是華邦電與兆易創新。然而，在賽普拉斯與美光逐步退出NOR-Flash市場的情況下，其他3家廠商開始搶攻市場。

只是，一開始，在中國國家政府補貼經費給予武漢新芯提供產能的情況下，當時兆易創新的客戶數不多，無法發揮產能上的優勢。如今，在兆易創新有了客戶，但是武漢新芯在有自己的營運考慮，也就是旗下12寸廠每月3萬片的產能，三分之一用來進行邏輯IC代工，三分之二才進行NOR-Flash生產的情況下，武漢新芯既要服務兆易創新，又要服務其他廠商。這使得兆易創新的產能受到限縮，無法進一步補上市場的缺貨缺口，使得日前NOR-Flash市場面臨供不應求的情況。

不過，據了解，兆易創新當前的投片情況已經開始有所調整，也就是藉由在中芯與華力微上的增加投片，增加產能，來滿足市場上的需求。消息人士指出，由於中芯目前的產能利用率較低，兆易創新自6月份開始就在中芯開始投片。而且數量從一開始的每月2000片，提升到當前8000片的數量，已經足成長了4倍數量，數量可觀。此外，兆易創新跟華力微的合作方面，也已經正式開始投片。

而且，整體預估產能提升到5.5萬片時，華邦電中科廠就全數滿載。由於，華邦電強調，新增產能將全數生產NOR-Flash及部分NANDFlash的情況下，加上兆易創新的擴產，未來NOR-Flash的價格是不是還會持續有成長的趨勢，恐怕會有很大的變數發生。

日前，力晶董事長黃崇仁宣布，因為看好NOR-Flash的市場發展，將重啟NOR-Flash生產的計劃。根據市場人士的指出，目前這方面似乎也已經有晶圓開始產出。不過，因為不同於過去力晶用於生產的90納米工藝，當前要採用的為65納米工藝。在工藝技術上有許多不同情況下，這批晶豪科投產的晶圓，相信只是一般的試產部分，距離真正量產的時間點恐還有一段時間。這部分對於未來市場的影響將會如何，還有待後續的觀察。

此外，旺宏總經理盧志遠盧志遠預期，今年NOR-Flash市場將持續供不應求，由於價格持續上漲，目前採取配銷模式，75納米以上工藝產品約佔第2季NOR產品線營收比重50%，強勁需求主要來自每個應用領域、及產品容量；旺宏今年第1季NOR-Flash全球市佔率已達26%，居全球之冠，預估今年全年市佔將挑戰30%；另外，SLCNAND Flash今年也是供不應求，同樣採取配銷模式。因應客戶端強勁需求，旺宏啟動高端產能擴充計劃，預計新產能每月將增加4800片，可望今年底產出，全數在12寸廠生產，低密度的產品則改由8寸廠生產。

集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，三大內存今年創下歷年最缺且漲勢最久紀錄，同時缺貨更是以前沒有的情況。隨蘋果新手機即將上市，三大內存優先供貨給蘋果，非蘋陣營也積極備貨，廠商預期，三大內存下半年缺貨比上半年更嚴重。

業界分析表示，DRAM、NAND／NOR Flash三大內存同缺，台灣廠商擁有產能的南亞科、華邦電和旺宏到年底的產能已全數被搶訂一空，三家廠商正積極去瓶頸，提升產出，搶食缺貨商機。

南亞科目前在林口有二座12寸廠，其中3A廠30納米製程產品，有90%都是在美光科技技術基礎上自行研發設計；全新的3An廠，今年導入20納米製程後，5月取得客戶驗證，提前在今年第2季量產，目前良率相當好，預定今年底單月投片量達3萬片。

華邦電目前月產能約4.3萬至4.4萬片，預料年底可增至4.8萬片，希望明年中後再增加到5.2萬至5.3萬片，但估到5.5萬片時，中科廠就全數滿載。華邦電強調，新增產能將全數生產NOR Flash及部分NAND Flash，希望未來Flash產出量與DRAM相近。（來源：Technews、經濟日報）

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