華為P10快閃記憶體事件因三星卡脖子，國產快閃記憶體晶元之路還有多遠
P10的快閃記憶體事件風波已經過去半年了，在這個手機更新換代那麼快的年代，可以說這個事件已經被時間給沖淡了。可是華為工程師吳醒峰的一篇文章，又再次點掀起了已經平靜的快閃記憶體風波。顯然快閃記憶體事件已經成為了華為手機一個揮之不去的詛咒。
文章的大概意思是說了UFS快閃記憶體目前只有三星，海力士，東芝能提供，而穩定的產能只有三星有，而且產能有限。出於某某些商業上的考慮，限制了對華為的UFS快閃記憶體提供。
P10快閃記憶體風波是結果，而原因卻不知一個，UFS產能不足的因素是其一，華為終端的公關失敗也是其二。友商和媒體的想搞大新聞也是一個因素，但是這個是沒辦法的，蒼蠅不叮無縫的蛋。在這裡USF快閃記憶體被卡脖子是大前提，沒有這個就沒有後面的一系列並發因素。
就如前面所說的USF快閃記憶體，應該說是快閃記憶體和DRAM晶元都被三星，海力士，Intel，東芝等壟斷。他們完全可以用各種理由操控市場上的快閃記憶體價格和供應來滿足自己的利益。而快閃記憶體和DRAM晶元又是手機的重要部件之一，若是快閃記憶體的供應商也是該手機廠商的競爭對手，要打壓起來簡直是輕而易舉。
在過去我們國家沒有能力生產高質量的快閃記憶體和DRAM晶元，每年需要進口大量的晶元用於生產各種電子設備，國外的企業也趁機撈了一大筆錢。
現在我們的國家意識到了，正在完善這些產業鏈，如同當年液晶面板被台灣日本韓國壟斷，如今台灣日本面板半死不活，韓國一枝獨秀，中間還殺出了一個中國面板產業。雖然快閃記憶體產業就沒有發展那麼快了，紫光收購美光準備進入快閃記憶體和DRAM市場，國家級存儲晶元基地確定落戶武漢市，今年國產32層3D-NAND晶元研發成功。國產快閃記憶體和DRAM晶元正在逐漸走向市場，打破壟斷。到時快閃記憶體產能將不是限制手機出貨的一個因素
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※飛線魔改移動工作站mini pei-e介面兼容msata
※國外牛人用2000多根飛線和200多塊TTL集成電路DIY了一個CPU
※已經是最良心的火車站充電寶
※還有這種操作，iPhone改跑馬燈秒變山寨機
※一個真正的手機迷是不會去秀優越感的，只會默默收藏3000部手機
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