個人電腦 DRAM 模組供不應求，未來合約價有持續調漲空間

根據平面媒體《工商時報》的報導，近期個人電腦的 4GB DDR3/DDR4 模組均價已經上漲至 28.5 美元，漲幅達到 5%。其上漲的主要原因，是因為因應智能手機與數據中心雲伺服器出貨量增加，造成包括三星、SK 海力士以及南亞科三大 DRAM 廠將產能轉去生產移動設備與伺服器專用 DRAM 下，使得個人電腦用 DRAM 產能吃緊的緣故。因此，包括一線個人電腦的 ODM 與 OEM 廠為鞏固貨源下，同意 DRAM 廠調漲合約價。

報導指出，就目前整體 DRAM 市場來看，在三大 DRAM 廠於 2017 年並無新增產能的情況下，未來的位成長只能依賴製程微縮所帶動的成長。不過，這過程中還有新製程轉換良率的問題，再加上日前中國台灣地區美光桃園廠所發生氣體外泄污染事件，都使得市場面臨供需吃緊的情況，市場預估 2017 年下半年 DRAM 供不應求的情況將會持續到年底。

根據集邦科技對市場的研究表示，目前主流的 4GB DDR3/DDR4 模組合約均價 7 月份已經調漲至 28.5 美元的價格，相較第 2 季均價漲幅約為 5%。預計，整體第 3 季 DRAM 合約價已經上漲約 5% 之後，第 4 季仍會會再上漲的空間。累計個人電腦 DRAM 模組的合均價 2017 年以來，則已經由 18 美元漲至 28.5 美元，漲幅已經高達 58%。

報導中進一步指出，第 3 季個人電腦用 DRAM 合約價調漲的動作，勢必帶動移動設備與伺服器專用 DRAM 的漲價趨勢。這樣的情況，對於中國台灣地區存儲器大廠南亞科來說，因為 20 納米製程上在 5 月取得客戶驗證並提前量產，年底前產能可以達到每月 3 萬片，2018 年上半年再精進到每月 3.8 萬片的情況下，未來的獲利可望逐漸成長。

另外，在全球存儲器龍頭韓國的三星方面，因應市場產品短缺的情況，將可能會把位於華城 Line 17 廠中部份 NAND Flash 產能遷移到平澤廠，再設法增加每月 4 萬到 5 萬片的 DRAM 產能，以供應客戶需求。

至於，另一家韓國存儲器大廠 SK 海力士方面，則是希望能在 M14 廠調配出每月 2 萬片的空間，用以建置 DRAM 新生產線。至於，美光在日本廣島及中國台灣地區桃園的產能則已經達到滿載狀態，目前正積極規劃的中國台灣地區台中廠二期產能，預計建置 17 納米每月 3 萬到 4 萬片產能。但預計量產的時間必須要到 2018 年下半年，目前恐來不及因應市場的需求。

（首圖來源：Pixabay）

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