三星宣布推出EUV技術製程工藝，明年開始投產

荷蘭ASML公司製造的EUV光刻機是所有半導體廠商夢寐以求的搶手貨，但製造難度極高的EUV（極紫外）光刻機在據說今年內的年產量只有12台，也就是1個月只有1台能出售給半導體廠商。不過三星始終是三星，在半導體領域的影響力確實是大，今天三星就宣布推出採用EUV技術的11nm LPP和7nm LPP工藝，他們的半導體路線圖又向前邁進了一步。

對比早期的14nm LPP工藝，11nm LPP工藝同功耗情況下性能提升15%，而晶元面積卻降低10%，除了在旗艦手機晶元上使用10nm FinFET工藝外，三星還打算將11nm工藝處理器使用在中高端手機，11nm工藝計劃在2018年上半年投產。三星還證實採用EUV光刻技術的7nm LPP工藝晶元正在開發當中，目標是在2018年下半年投產。

自2014年以來，三星已經生產了近20萬塊EUV光刻圓晶，在256MB的SRAM上實現了80%的良品率。三星將在3年內從14nm工藝逐步過渡到11nm，10nm，8nm和7nm。有關三星半導體路線圖最新的消息，包括11nm LPP和7nm EUV的開發，三星將在2017年9月15日的日本東京三星半導體技術論壇中詳細講解，到時候小編我會給大家帶來第一手資料。

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