英特爾公布10納米製程，密度提升性能加強

PingWest品玩9月19日報道，英特爾今天公布了10納米工藝製程的消息。目前全球性能最高的是14納米晶體管，業內大多數使用的還算是14/16/20納米製程，英特爾的10納米工藝預計會領先整整一代。

英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 （hyper scaling），充分運用了多圖案成形設計 （multi-patterning schemes），可以助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。未來英特爾10納米製程將用於製造英特爾全系列產品。

在工藝方面，英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，大約是業界其他「10納米」製程的2倍。

性能上，相比之前的14納米製程，英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的「10 納米」，英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。

另外，英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米製程技術所打造的晶圓，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分，並將會在 2017 年底前正式投產 10 納米製程技術的處理器。

圖源：新浪科技

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