Intel公然打臉台積電/三星！你們全都是XX

9月19日，Intel在北京舉辦精尖製造日活動，全面展示和介紹了自己先進的半導體製造工藝，22nm、14nm、10nm、7nm、5nm、3nm輪番登台，並首次公開展示了五塊高技術晶圓。

台積電和三星的10nm工藝都已經進入量產階段，Intel的則要到今年底明年初才會有相應產品(Cannon Lake)，但是Intel指出，對手的所謂10nm，其實只有自己14nm的檔次，而自己的10nm仍然領先對手足足一代。

Intel 10nm計劃今年下半年投產，採用第三代FinFET(鰭式場效應晶體管)技術，並結合了超微縮技術(hyper scaling)、多圖案成形設計(multi-patterning schemes)。

Intel 10nm工藝的最小柵極間距從70nm縮小至54nm，最小金屬間距從52nm縮小至36nm，使得晶體管密度達到每平方毫米1.008億個晶體管，業內最高，是之前Intel 14nm工藝的2.7倍，大約是業界其他「10nm」工藝的2倍。

相比之前的14nm， Intel 10nm可以提升25％的性能，或者降低45％的功耗，而增強版的10++nm，則可將性能再提升15％，或將功耗再降低30％。

Intel 10nm Cannon Lake晶圓

同時，Intel也正在全面開放對外代工業務，基於ARM Cortex-A75 CPU核心的10nm測試晶元只用12周就完成了流片，最新測試結果顯示主頻可以超過3.3GHz，而能效高達250uW/MHz。

Intel 10nm ARM晶圓

Intel介紹了展訊今年推出的SC9861G-IA、SC9853I兩款移動處理器，均採用Intel 14nm工藝製造。

Intel 14nm工藝採用第二代FinFET技術，每平方毫米可集成3750萬個晶體管，邏輯單元面積只有22nm的37％，密度是業界其他14/16/20nm工藝的1.3倍。

Intel 14nm還引入了自校準雙圖案成行(SADP)，相比業界流行的曝光-蝕刻-曝光-蝕刻(LELE)方法，晶體管密度和良品率上更有優勢。

同樣是14nm，Intel也在一直不斷完善，目前性能已經比最初提升了26％，或者可以降低50％以上的功耗。

按照Intel的說法，14+nm性能比第一版14nm提升了12％，14++nm又提升了24％，超過同行多達20％。

迄今為止，Intel 14nm晶元已經累計出貨4.734億顆，來自美國俄勒岡州、亞利桑那州和愛爾蘭的三座工廠。

Intel 14nm展訊晶圓

22nm也並不落伍，而且是Intel第一次引入FinFET晶體管。基於多年經驗，Intel又面向第三方代工服務推出了22FL(FinFET Lower Power)工藝，結合高性能和超低功耗的晶體管(每平方毫米1780萬個)，以及簡化的互連與設計規則，能夠為低功耗及移動產品提供通用的FinFET設計平台。

與先前的22GP(通用)工藝相比，22FFL的漏電量最多可減少100倍，主頻超過2GHz，還可達到與Intel 14nm晶體管相同的驅動電流，同時實現比業界28/22bn平面技術更高的面積微縮。

迄今為止，Intel已經產出700多萬塊FinFET晶圓。

Intle 22FFL晶圓

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