Intel不擠牙膏了？首秀10nm晶圓、研發3nm及黑科技

　　[PConline 資訊] Intel一直自詡擁有地球上最好的半導體工藝技術，但是Intel這幾年在玩家的心中評價不高，被稱為牙膏廠，14nm工藝縫縫補補用了三年了，而且在10nm工藝節點上又被TSMC、三星超越。Intel真的如此不堪一擊？在昨天的Intel中國技術&製造日（國內叫做精尖製造日）會議上，Intel官方首次公開了10nm Cannonlake處理器晶圓，並大談自家在14nm、10nm工藝上的領先，同時Intel還公布了未來的5nm、3nm處理器工藝研究，以及納米線晶體管、3D堆疊、微縮互聯等未來黑科技技術。

　　Intel今年3月份已經舉辦過技術&製造日會議了，這次在北京舉辦的會議內容跟上半年的活動相似，主要是介紹Intel在先進半導體工藝上的優勢及前景展望，不同的是Intel副總裁Stacy Smith首次展示了10nm工藝的Cannonlake處理器晶圓，如上圖所示。Cannonlake處理器是Intel首款10nm工藝處理器，預計今年底出貨，不過Cannonlake主要針對移動市場，使用的也是第一代10nm工藝，而桌面市場上預計會使用第二代10nm工藝，代號Ice Lake，預計明年下半年問世。

　　對於Intel在製造工藝上的優勢，我們早前的文章里已經做過介紹，這次Intel不過是再次重複了一下，以10nm為例子，Intel表示他們的10nm工藝晶體管密度可達1.008億每平方毫米，是14nm工藝的2.7倍，也是其他友商(也就是TSMC、三星）的2倍多左右。

　　相比之前的14納米製程，英特爾10納米製程實現多達25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增強版的10納米製程——10++，可將性能再提升15%並將功耗再降低 30%。

　　英特爾10納米製程計劃於2017年底投產，2018年上半年實現量產。

　　在10nm之後，半導體工藝還會升級到7nm，再往下則是5nm、3nm工藝，Intel表示他們已經針對5nm、3nm工藝展開研究，不過官方並沒有公布下下代工藝何時才能問世的消息。

　　隨著半導體工藝製程的提升，新一代工藝對材料、技術的要求也越來越高，Intel也公布了一些研究中的前瞻項目，可以說這些研究都是黑科技，是解決未來半導體生產製造的關鍵。根據Intel的介紹，這些黑科技主要包括納米線晶體管（Nanowire Transistor）、III-V材料（ III-V Materials）、3D堆疊（3D Stacking）、高密度內存（Dense Memory）、微縮互聯（Scaling Interconnects）、極紫外（EUV）光刻技術（Extreme Ultraviolet Lithography）、自旋電子（Spintronics）、神經元計算（Neuromorphic Computing）等。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！