Intel 64層快閃記憶體率先商用10nm：晶體管密度暴增2.7倍

Intel這幾年製造工藝的推進緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術先進性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA晶元，並宣稱同樣是10nm，自己要比對手領先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規劃。

按照目前的消息，Cannon Lake將是Intel的第一款10nm工藝處理器，但在它之前，Falcon Mesa FPGA可編程晶元會更早使用10nm。

不過據最新報道，Intel 10nm的第一站，其實是NAND快閃記憶體，而且是64層堆疊的3D快閃記憶體。

至於為何在快閃記憶體上首先使用新工藝，很大可能是因為NAND快閃記憶體結構相對簡單，基本上就是海量同類晶體管堆積，相比之下CPU處理器就複雜多了，使用新工藝風險很大——這也是Intel 14nm、10nm屢屢推遲的一個因素。

目前還不清楚Intel 10nm快閃記憶體的具體情況，但肯定是首先用於數據中心市場，等成本下來了再推到消費級領域。

按照Intel的說法，10nm工藝使用了FinFET(鰭式場效應晶體管)、Hyper Scaling(超縮微)技術，可將晶體管密度提升2.7倍，結果自然可以大大縮小晶元面積，對快閃記憶體來說當然就能極大地提升容量。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！