Intel 10 納米製程將優先生產 3D NAND Flash

【Technews科技新報】之前，晶元大廠英特爾（Intel）在中國舉行的「尖端製造大會」，正式展示了由最新 10 納米製程技術生產的晶圓，並表示 10 納米製程技術生產的 Cannon Lake 處理器將在 2017 年底前量產，使玩家都引頸期待。但現在有消息透露，首批進入市場的 Intel 10 納米製程技術產品，不會是大家期待的 CPU，而是目前市場價格高漲的 NAND Flash 快閃記憶體。

根據業界人士透露，Intel 計劃在自家最新 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體使用最新 10 納米製程技術。至於，為何在 3D NAND Flash 先用新製程，很可能是因為 NAND Flash 的結構相對簡單，基本上就是大量同類電晶體堆積，相較之下，CPU 處理器的架構就複雜多了。使用新製程技術生產，複雜性也是關係成功與否的重要風險之一，這也是 Intel 在 14 納米製程、10 納米製程屢屢延後推出的一項主要因素。

照 Intel 的說法，10 納米製程技術使用 FinFET（鰭式場效應電晶體）、Hyper Scaling（超縮微）技術，可將電晶體密度提升 2.7 倍，結果自然可以大大縮小晶元面積，對 NAND Flash 快閃記憶體的設計來說，當然能大大提升容量。

不過，目前還不清楚 Intel 的 10 納米製程 NAND Flash 具體生產情況為何，但可以確認，未來該批產品會首先用於數據中心市場，等成本下降後，再推廣到消費等級市場。

（首圖來源：Flickr/stargazer2020 CC BY 2.0）返回搜狐，查看更多

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