三星揭曉11nm新工藝 並確認7nm工藝採用EUV

【天極網DIY硬體頻道】隨著高通驍龍835、聯發科Helio X3等10nm晶元的廣泛應用，三星、台積電等半導體企業紛紛發力新一代7nm工藝晶元。剛剛，三星確認2018年下半年試產的7nm工藝將上EUV極紫外光刻(全面融合)，同時還公布了全新的11nm FinFET製造工藝「11LPP」(Low Power Plus)。

三星表示，11LPP工藝是14nm LPP、10nm BEOL後端工藝的融合。11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白，號稱可在同等晶體管數量和功耗下比14LPP工藝性能提升15%、功耗降低10%，並提高晶體管密度。

三星於2016年10月投產10LPE(10nm Low Power Early)，並已準備好即將投產10LPP(10nm Low Power Plus)，主要為智能手機製造晶元，14nm工藝則針對主流、低功耗和緊湊型晶元。

接下來，三星還將會增加14LPU、10LPU版本，當然三星還準備有9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝。

三星表示，2014年以來，已經使用EUV技術處理了接近20萬塊晶圓，取得了豐碩成果，比如256MbSRAM的良品率達到了80%。而且，明年上半年三星8LPP工藝特定層將首先使用EUV極紫外光刻。

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