逐鹿國內SSD市場 三星亮出3D V-NAND尚方寶劍

近日，三星宣布研發出容量達1Tb（terabit）的3D V-NAND晶元。據悉，此次研發的V-NAND 晶元(即垂直堆疊的3D V-NAND)的容量是當前最大存儲器512Gb (gigabit) 的兩倍。

三星電子於2013年在全球率先實現V-NAND(第一代，24層)量產，今年已實現第四代V-NAND的量產引領創新。近日，西安三星電子研究所存儲事業部技術總監李珺珂在接受飛象網採訪時表示，現在市場上3D V-NAND的堆疊層數已經達到比較高的程度，並且3D V-NAND技術已經成為市場主流。三星的3D V-NAND技術是事實上的行業標杆，現在主流的產品是第三代V-NAND，第四代產品也即將推出，同時三星先進的技術也確保了在V-NAND技術上可以持續創新。

「三星會繼續推動在V-NAND方面的技術創新，增加堆疊的層數。比如我們的第三代有48層，第四代將實現64層堆疊，第五代目標是90層以上。其他廠商也在跟進推出3D V-NAND，但實現穩定量產並非是容易的事情。三星已經在3D V-NAND的開發生產上積累了很多的經驗，並且已經準備好推出新的技術，除了剛提到的增加縱向堆疊層數（Multi-stacking）以外，還包括縮小橫向尺寸（Lateral Shrink），以及COP（Cell Over Peripheral）將單元層構建在外圍支持CMOS之上的技術。」

當下，基於快閃記憶體的存儲產品性能發展日益迅速，高性能的SSD存取速度達到甚至超過了傳輸匯流排的速度。對以大數據和雲計算為典型應用的數據中心的系統結構造成了很大影響，如何讓數據更具價值變得越來越重要。數據的價值和Metcalfe定律定義的網路的價值非常相似,數據的價值是用Size, Speed和Scale的能力來衡量。李珺珂指出，SSD可以通過High capacity, low latency和New interface來影響數據中心的架構，而三星針對這些需求也準備了相應的解決方案比如128TB大容量SSD，超低延遲的Z-SSD和具備new interface功能的Key-Value SSD。

雲計算、大數據盛行的當下，最不能忽略的就是人工智慧，三星半導體作為全球DRAM和NAND行業領導者，同樣也非常關注AI的發展。據透露，為了應對人工智慧的到來，三星針對AI /ML 應用推出了一種特殊的DRAM，叫做HBM(High Bandwidth Memory)。HBM針對大數據計算特別優化了存取帶寬，速度可以達到2Gbps。現在HBM產品已經在各種需要AI/ML的應用中廣泛應用(數據中心，智能汽車等等)。

談及三星SSD在國內外的地位，李珺珂表示，除了中國以外，三星SSD在伺服器行業已經佔據了全球70%的SSD市場份額。這意味著三星SSD已經通過全球IT公司的認可比如谷歌，亞馬遜，IBM，惠普等。

「三星SSD已連續兩年獲得ODCC「最佳固態硬碟」大獎，我們希望可以藉助ODCC這個平台，讓更多的用戶認識我們的好產品。坦率地說,三星SSD相比其他廠商有更穩定的性能，希望更多的中國公司了解我們的SSD的性能和可靠性。」

若想在國內站穩腳跟，獲得更大的份額，便不可避免要談及三星的SSD和競爭對手的SSD之間的區別和優勢。李珺珂說，目前SSD市場持續火爆，不斷有老牌廠家和新興的廠家推出新產品上市。在眾多的SSD生產廠家之中，三星SSD是唯一一家具有全套的解決方案的供應商，包括從NAND快閃記憶體顆粒，到SSD控制器，到SSD固件甚至SSD的PCB設計和最後的組裝生產。「這樣全產業鏈的整合能力可以最大化我們產品的性能和穩定。」

據了解，近兩年來西安三星電子研究所對於ODCC的存儲標準制定貢獻了很多力量，與其他國內廠商共同合作引領了國內數據中心存儲產業測試標準的制定和推廣。對此，三星表示，今後會繼續與ODCC緊密合作，大力支持ODCC的中國SSD標準化活動，將ODCC制定的各種規範和標準化結果推廣給國內廣大的SSD用戶。

「同時,我們將介紹更多新技術比如HBM，DDR5，Z-SSD, Key-Value SSD給國內的客戶，並且計劃加強和BAT以及國內眾多伺服器廠商之間的合作，讓客戶更好的了解三星內存和SSD產品的優勢」。

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