原位生長在石墨烯上的高度均勻的單晶Co3O4納米立方體用於高效析氧

本研究中，我們通過一步水熱方法合成了高度均勻的單晶Co3O4立方體，並將其牢牢錨定在石墨烯納米片表面。由於其表面帶負電，氧化石墨烯可優選在原始溶液中吸附Co2+，隨後在升高的水熱溫度下誘導Co3O4納米立方體的原位成核和生長。在此過程中，氧化石墨烯被還原為石墨烯，從而獲得Co3O4/G複合物。與不規則的Co3O4顆粒相比，Co3O4/G複合材料顯示出增強的電催化性能，這可歸因於更活躍的活性位點和加速的電子轉移速率。

Figure1.（a）Co3O4/G的FESEM圖；（b）Co3O4/G的TEM圖；（c）Co3O4納米立方體的HRTEM圖，其中插圖是對應的SAED圖；（d）Co3O4納米立方體的結構示意圖（側視圖和俯視圖）。

Figure2.（a）所得催化劑的析氧LSV曲線（經iR校正後），其中測試掃速為10mV s-1；（b）相應的Tafel斜率。

Figure3. Co3O4/G在鹼性溶液中的電催化析氧過程的反應機理。

該研究工作於2017年發表在Catalysis Communications上。

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