因為NAND架構鬧矛盾？英特爾、美光將分手，研發各走各的路

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2018 01 09

星期二

來源：MoneyDJ

為NAND架構鬧翻？英特爾、美光將分手，研發各走各的路

英特爾（Intel）和美光（Micron）合作研發NAND Flash多年，8日宣布準備拆夥，將在完成第三代3D NAND研發之後，正式分道揚鑣。

Anandtech、Barronˋs報導，英特爾和美光12年前成立合資公司IM Flash Technologies，發展NAND。英特爾資助研發成本，並可分享NAND銷售收益。不過兩家公司NAND策略迥異，英特爾的NAND幾乎全用於企業市場的固態硬碟（SSD）。美光除了銷售SSD、也供應NANDFlash晶元。

目前兩家公司的3D NAND製程，進入第二代，可堆疊64層，正在研發第三代，預料可堆疊96層，預計在2018年底、2019年初問世。此一製程之後，英特爾和美光將各走各的路。

Anandtech猜測，也許是NAND堆疊層數破百之後，需要調整String Stacking的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。另一個可能是，目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式（Chargetrap），三星電子等都採用此一方式，英特爾／美光是唯一採用浮閘（floatinggate）架構的業者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構，但是此舉等於坦承失敗，代表從2D NAND轉換成3D NAND後，續用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。

值得注意的是，兩家公司仍會繼續共同研發3D XPoint存儲器，此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。

來源：MoneyDJ

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