三星GDDR6顯存晶元大批量生產，顯卡性能或將再度爆炸！

今天，三星正式向媒體宣布：下一代高速晶元GDDR6已經開始進行大批量生產，這代表三星在GDDR6的起步階段暫時領先於同行SK海力士和鎂光，同時韓國三星也成為了第一個大規模生產GDDR6存儲晶元的公司。三星16Gb（2GB）晶元採用10nm工藝製造，工作電壓為1.35V。新的晶元具有高達18Gb / s的介面pin，能夠達到72GB / s的傳輸速率。

三星目前的8Gb（1GB）GDDR5內存晶元除了具有一半的密度外，還可以在1.55V下工作，速度高達9Gb / s。三星在CES 2018年發布的新聞中簡要提到了即將發布的這些晶元。然而，真實的GDDR6速度明顯快於先前宣布的16Gb/s pin和64GB/s傳輸速率，這讓媒體大跌眼鏡。

在半年前，SK海力士發不了GDDR6晶元的詳細信息，而鎂光則表示，在2018年GDDR6晶元將大規模生產。SK海力士首款GDDR6據稱是速度為8GB、16Gb/s的晶元，而鎂光則未對媒體詳細說明晶元參數，但是預測鎂光的GDDR6晶元將擁有高達12Gb/s速度，與目前速度最快的GDDR5X晶元速度大致相同，在經過後續優化後最終能達到16Gb/s。

GDDR6晶元將被首先用於Nvidia Volta 顯卡，其中256-bit帶寬版傳輸速率為512GB/s，而384-bit帶寬版傳輸速率為768GB/s。相信新一代Nvidia Volta顯卡的上市將助力依靠圖形工作站的深度學習行業。

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