QLC快閃記憶體即將消滅240G固態硬碟，現在買120G SSD的都哭了
最近貼吧上一個四年前的墳帖再度被頂起，話題大家非常熟悉：假如QLC固態硬碟問世會發生什麼？
這個話題在TLC時代就已經被廣泛討論，最近疑似有Intel未公開型號660p在參數規格中列出了64層堆疊3D QLC快閃記憶體的字樣，容量從512G起步，海量存儲廉價化彷彿已在眼前。
早在去年東芝就第一個宣布了QLC快閃記憶體計劃，安排在今年下半年96層堆疊3D快閃記憶體量產之後，FMS 2017快閃記憶體峰會上Microsemi展示了東芝第三代BiCS QLC快閃記憶體以及對應主控開發板。
或許有人對Microsemi不太熟悉，它在2016年收購了PMC-Sierra，後者是最早開始NVMe固態硬碟主控研發的公司之一。
早在2009年，東芝就使用43nm工藝製造出了QLC快閃記憶體晶元，單Die容量達到當時最高的64Gb，幾乎相當於19nm時代MLC的存儲密度水平，主要用於優盤存儲卡。
QLC類型對於跨時代的容量提升作用非常明顯。不過在32nm之後，由於種種原因QLC並沒有馬上推行開來，TLC隨著製程縮減而登上歷史舞台直到現在。
TLC到QLC的轉換勢必會對壽命產生一定影響，這對晶圓製造及檢測提出了更高的要求，每片晶圓中只有體質最優的部分晶元才能用於固態硬碟級存儲，而存在瑕疵的晶元只能報廢或用到穩定性要求不太高的優盤、存儲卡當中。
不出意外的話，QLC時代翻車的固態硬碟會比現在更多。根源問題依然是快閃記憶體技術壟斷，國產貨最擅長的成本壓縮無處發揮，只能在最要命的快閃記憶體品質上做手腳了。
光有快閃記憶體是不夠的，還需要主控的配合才能製造成一顆固態硬碟。主控的研發一定會先於快閃記憶體的量產，當主控成熟時QLC固態硬碟距離我們就不遠了。下圖是Marvell的下一代演示版QLC主控，不過性能演示是在搭配現有3D TLC快閃記憶體的情況下進行的，說明固件尚未準備好。
剛發布或正準備發布的PHISON、SMI主控未來都可能會支持3D QLC快閃記憶體，因為當前老主控都能支持3D TLC，新主控除了初期使用64層和96層堆疊3D TLC之外，更有可能是為3D QLC的支持提前做準備。
或許還有人驚嘆於單片256GB的TF卡，不過電腦用戶也不必羨慕手機，因為東芝已經在前不久發布了指甲蓋大小的RC100 NVMe固態硬碟，單顆480GB容量。在3D QLC快閃記憶體量產之後我們或許將迎來固態硬碟480GB起步的時代，更多的人會有理由淘汰落後的機械硬碟，迎來全快閃記憶體時代。
