高精度晶體元件的工藝簡介
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02-05
高精度晶體元件的工藝簡介
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高精度高穩定度晶體元件的成品加工與普通晶體元件大致相同。對於玻殼封裝的晶體元件,為了避免封口時落架,可以將可伐支架片與晶片點上銀膏,直接燒結在一起。對於捆紮式裝架的晶體元件,也要在晶片電極引出端的邊緣抹上銀膏進行燒結。
高精度高穩定度晶體元件使用的石英片必須拋光。其清洗方法除前面介紹的清洗方法外,最好再用2537?的紫外線清洗效果最好。
對拋光的石英片兩面應腐蝕掉200?的厚度,其電極一般採用鉻一金電極。鉻層厚度約為33?,鉻-金電極厚度最薄的一面應為800?左右,使Q值最大。
高精度高穩定度晶體元件的調頻公差要求很嚴。為保證成品率,應在向上翻轉點溫度調頻。並留出由於真空封裝頻率升高的餘量。
高精度高穩定度晶體元件必須進行真空封裝。而且應有較高的真空度。為防止真空系統返油應採用鈦泵。玻殼封裝的密封性比金屬盒、冷壓焊真空封裝好。但是前者體積大,需要更長的穩定時間,後者更適合於快速加溫。
下期預告知識:《SMD石英晶體元件的製造》
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