新一代神U將至，10nm工藝，性能與功耗的完美平衡

月底的MW（世界移動大會上），除了會有三星S9首發驍龍845這款旗艦處理器，高通中端系列處理器也會升級。在2017年，憑藉幾款明星產品，驍龍660的出貨量佔據了高通處理器的很大一部分。驍龍660晶元雖然是定位中端，卻有不輸旗艦級的表現。終於，660也有了接班人，那就是預計會在月底MWC上亮相的高通驍龍670。

德媒WinFuture主編、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了這款SoC的一些規格資料。從目前的信息看來，驍龍670將會基於10nm工藝製造，這是十分令人期待的。CPU部分設計為2顆Kryo 300系列Gold大核以及6顆Kryo 300系列Silver小核（基於Cortex A55，驍龍845同款）。大核心最高主頻達到了2.6GHz，相比之下，驍龍660的最高主頻是2.2GHz。小核最高主頻1.7GHz，相信高通的新架構對於功耗的控制肯定更為出色。

這次推翻了此前4+4的Big.Little設計，比較意外。同時，每核心內件2KB L1緩存，每個叢集享有128KB L2緩存。

根據跑分，驍龍670單核性能比驍龍660的提升了大概10%左右，但多核低於驍龍660（驍龍660）。多核性能降低的原因很明顯，是因為僅兩顆高性能核心，總體性能低於上一代。但比肩驍龍835的單核性能還是讓驍龍670使人眼前一亮。最重要的肯定還是基於10nm的製造工藝，會使670的功耗更低。

GPU方面使用的是Adreno 615，可以實現430MHz、650MHz和700MHz+調頻。從跑分看來GPU相比驍龍660提升大概17%左右。 雖然性能不算高，但也屬於夠用範圍。但實在想不通高通為何不給中端晶元配上更好一點的GPU，畢竟現在手機遊戲的體量也是越來越大，光靠優化，以670的水平，能流暢運行主流遊戲的時間恐怕不會太長久。

很重要一點，這次快閃記憶體終於支持UFS 2.1，當然也eMMC 5.1，這一次，如果藍綠廠上了UFS 2.1，我就相信以前沒上是因為不支持。如果這都不上，那我無話可說。基帶方面集成X20系列，下行速度追上驍龍835的水平，達到1Gbps。基帶一直屬於高通的強項，上一代旗艦的基帶下放到次旗艦也是很常見的事情。

總體看來，驍龍670將會是一款足夠使用並且表現很好的中端SoC。有著強力的單核性能，夠用的多核性能和圖形性能，最主要點的當然還是功耗低。雖然目前沒有具體功耗的信息，但通過製程和架構升級能夠帶來的提升應該不止這點。這說明驍龍670在功耗表現上面一定會帶給大家驚喜。我們完全有理由相信驍龍670會續寫660的傳奇，是新一代穩定，夠用，不發燙的神U！

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