科普帖成軟文，是誰讓「乾貨」變了味？

付費閱讀是近幾年的趨勢，知識有價，免費的有可能是最貴的。在硬廣效果不好的現在，隱蔽的植入性廣告成了不少廠商的選擇。最近小編看到一篇漏洞滿滿的科普形式軟文，從求真務實的角度出發，這一期IT圈糾錯就帶一起看看其中摻雜有多少硬傷，在「乾貨」的背後又是怎樣的一條利益鏈。

知識硬傷1：快閃記憶體是日立發明的？

很多人都知道Flash快閃記憶體是在1984年提出的，發明人是當時在東芝工作的舛岡富士雄。這篇標榜乾貨的文章當中將NAND快閃記憶體的發明者寫成日立是錯誤的。在配圖使用東芝顆粒的情況下，還出現這種錯誤實不應該。

傳統上說，快閃記憶體有NOR與NAND兩種類型。最早出現的快閃記憶體是NOR類型的。NOR地址線與數據線分開，使用方式接近於內存，應用程序可以直接在NOR快閃記憶體內運行，而不必先載入到單獨的系統RAM當中。

嵌入式系統中經常把NOR快閃記憶體用作啟動晶元。部分固態硬碟也使用小容量的NOR快閃記憶體存儲固件（下圖紅圈內部件）。

而另一種NAND類型的快閃記憶體結構則是在1989年由東芝提出，NAND快閃記憶體共用地址與數據匯流排，容量大是它的最顯著優勢。NAND快閃記憶體承擔了固態硬碟的數據存儲重任。

東芝是快閃記憶體世界締造者這一點是毫無疑問的。而歷史上曾經製造過快閃記憶體的企業就太多了，除了當代留存下來的東芝、英特爾等老牌企業之外，可能少有人知道的是，英特爾的老對手AMD也曾擁有NOR快閃記憶體產品線（飛索半導體的前身就是AMD與富士通合資的快閃記憶體業務部門）。

知識硬傷2：3D快閃記憶體就是顆粒堆疊在一起？

原文作者顯然還沒有搞清楚chip與package的區別。3D快閃記憶體使用到了晶元堆疊，但這裡的3D並不等同於晶元堆疊。2D時代就已經有8Die堆疊的快閃記憶體顆粒，3D快閃記憶體的堆疊層數指的是單個Chip晶元內記憶體單元的堆疊層數，而疊Die則是多個晶元的再堆疊。

3D快閃記憶體的真正意義在於結構上的立體化，這是結構性的變革。晶元之內立體排布的存儲單元可以堆疊多層。

當然3D快閃記憶體顆粒也會利用晶元堆疊來提升單個封裝體的容量。下圖是16個「東芝64層堆疊BiCS快閃記憶體晶元」進行堆疊的介紹動圖：

知識硬傷3：NVMe與SATA固態硬碟是高速與崎嶇山路的關係？

單從通道速度來說似乎的確是原文所說的高速與山路，但二者實際體驗差距則完全不是這種對比，這一點實際體驗過的玩家心裡都明白，只是缺少一種系統的理論支撐。

NVMe與SATA實用體驗其實可以用跑車和買菜車同時跑在市區道路上來形容。實際應用環境限制了車輛（固態硬碟）性能的有效發揮。在走走停停（程序請求IO操作的間隙很多，成因包括代碼執行效率以及不同硬體之間的響應延遲等等）的市區道路上，跑車固然會比買菜車更快一些，但總體提升幅度受到諸多限制，用高速公路和崎嶇山路來比喻二者區別，實在是言過其實。

用AS SSD Benchmark對比，NVMe與SATA的跑分成績差距可能是數倍，可以想像這時它們都在不限速的德國高速公路上以各自的極速狂飆。

而要看PC Mark 8體現的實用性能影響，差距固然有，但遠不如AS跑分那麼誇張，此刻兩塊固態硬碟都跑在真實的家用應用下（類似市區道路，有限速並且通暢與擁堵路段混雜）。

具體到PC Mark 8存儲測試的子項目成績來看，NVMe面對SATA的優勢並不是原文中所說的高速與崎嶇山道的關係。當然這裡的對比都是在快閃記憶體相同並且主控快閃記憶體通道數量一致的基礎上。

除此之外原文中還有多處內容充滿爭議，譬如說「現在不花大價錢已經買不到MLC」，元芳你怎麼看？

到最後總結品牌站隊的時候，這篇軟文的真實意圖終於暴露了，第一梯隊不用說大家也知道，重點是第二梯隊里某些隊員是從第三梯隊混進來的。

之前已經被曝光的顆粒造假品牌，赫然出現在了第二梯隊「品質不錯、價格還便宜」系列當中，那麼第三梯隊所指的山寨品牌到底是留給誰的呢？

對於讀者來說，一眼可辨的硬廣並不可怕，可怕的是摻雜了隱蔽收費軟文成分的假科普真毒藥。讀者分不清真真假假虛虛實實，恐怕就有機會讓某些廠商如願以償了。

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