三星授權高通使用7nm EUV技術打造晶元

IT之家2月22日消息，今天三星在官網放出公告，表示將於高通進行技術合作，合作後高通未來的驍龍晶元可以使用三星的EUV工藝打造晶元，據了解EUV工藝屬於7nm製程，具有超低功耗、超小體積等特點，未來使用該技術晶元的手機將有更大的空間來布置電池等其他部件。

該計劃將長達十年，三星將授權「EUV（極紫外）光刻工藝技術」給高通使用，其中包括使用三星7納米（nm）LPP（低功率Plus）EUV工藝技術製造未來的Snapdragon 5G移動晶元組。

使用7LPP EUV工藝技術，Snapdragon 5G移動晶元將變得更小，可以給OEM廠商提供更多可用空間，以支持更大的電池或更薄的設計。另外工藝改進與更先進的晶元設計相結合，預計將顯著改善電池壽命。

三星位於韓國的生產線

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術7LPP EUV，三星預計EUV光刻部署將打破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導體技術的發展鋪平道路。

據IT之家了解與10nm FinFET前輩相比，7LPP EUV技術不僅大大降低了工藝複雜性，減少了工藝步驟，提高了良率，而且面積效率提高了40%，性能提高了10%，功耗降低了35%。

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