日本瑞薩發布航天業內首款用於電源的抗輻射低側氮化鎵場效應晶體管和驅動器，繼承了英特希爾公司的抗輻射產品領導地位

日本瑞薩電子公司日前宣布推出首款抗輻射的低側氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器和氮化鎵場效應晶體管，用於運載火箭、衛星、井下鑽井和高可靠性工業應用等領域的初級和次級DC/DC轉換器。這些氮化鎵器件能夠為各種功率電路供電，包括鐵氧體開關驅動器、電機控制驅動器電路、加熱器控制模塊、嵌入式命令模塊、100V和28V電源調節以及冗餘切換系統等。

氮化鎵場效應晶體管

此次推出的兩款GaN FET分別為ISL7023SEH 100V，60A GaN FET和ISL70024SEH 200V，7.5A GaN FET，均採用美國加州Efficient Power Conversion Corp（EPC）公司的晶圓。據稱，GaN FET的性能比硅MOSFET高10個數量級，同時將封裝尺寸縮小50％。GaN FET還可以減少電源重量，並以較少的開關功耗實現更高的功率效率。在5mΩ（RDSON）和14nC（QG）時，ISL70023SEH實現了業界最佳品質因數（FOM）。

由於寄生因素減少，該兩個氮化鎵場效應晶體管都需要較少的散熱元件，在高頻下工作需要的輸出濾波器也更小，從而能夠在緊湊型解決方案中實現更高效率。ISL70023SEH和ISL70024SEH滿足MIL-PRF-38535 V等級要求，可在軍用溫度範圍內工作，抗電離總劑量水平達到75-100krad（Si）。

氮化鎵場效應晶體管驅動器

ISL70040SEH低側GaN FET驅動器能夠為ISL7002xSEH GaN FET提供穩定的4.5V柵極驅動電壓，並分離輸出以調整FET的導通和關斷速度。在4.5V至13.2V的電源電壓下工作時，FET驅動器可為高頻工作提供高電流源和吸收能力，同時提供反相和非反相柵極驅動，為電源設計提供靈活性。該驅動器能夠對邏輯輸入進行故障安全保護，消除了無主動驅動時的無意切換。ISL70040SEH具有較高的抗電離總劑量和重離子能力，在86MeV?cm2/ mg的線性能量轉移（LET）下，可抵抗高達16.5V的破壞性單事件效應（SEE）。GaN FET滿足MIL-PRF-38535 V要求，並逐個對晶圓進行了的輻射保證測試。

產品意義

EPC的聯合創始人兼首席執行官Alex Lidow評論說：「我們很高興看到瑞薩電子繼承了Intersil公司六十年來的航天產品開發和領導地位。我們的創新增強型氮化硅鎵（eGaN）FET技術能夠與瑞薩新型抗輻射氮化鎵場效應晶體管驅動器相結合，這一點尤為令人欣喜和激動。這些產品展示了eGaN技術如何提高性能並降低目前由MOSFET供電的應用成本。」

瑞薩電子工業模擬與電源業務部副總裁Philip Chesley表示：「尺寸、重量和功率效率對運載火箭和衛星的設計者和製造商非常重要。新型ISL7002xSEH氮化鎵場效應晶體管和ISL70040SEH氮化鎵場效應晶體管驅動器代表了我們長期以來在航天領域所見到的最有意義的功率管理創新。」

ISL70023SEH 100V，60A GaN FET或ISL70024SEH 200V，7.5A GaN FET可與ISL70040SEH低端GaN FET驅動器和ISL78845ASEH PWM控制器相結合，為運載火箭和衛星提供開關模式電源。

封裝形式

ISL70023SEH 100V，60A GaN FET和ISL70024SEH 200V，7.5A GaN FET採用密封的4引腳9.0mm x 4.7mm SMD封裝。ISL70040SEH低側GaN FET驅動器採用密封的8引腳6mm x 6mm SMD封裝。

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