高通與三星簽十年合約，驍龍晶元將基於三星7nm EUV工藝打造

今日三星官網發布新聞稿，三星、高通宣布擴大晶圓代工業務合作，包含高通下一代5G移動晶元，將採用三星7納米LPP(Low-Power Plus)極紫外光(EUV)製程。

新聞稿指出，通過7納米LPP EUV工藝，驍龍(Snapdragon)5G晶元組可減少佔位空間，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設計。除此之外，結合更先進晶元設計，將可明顯增進電池續航力。

該合作計劃將長達十年，三星將授權「EUV光刻工藝技術」給高通使用，其中包括使用三星7納米LPP EUV工藝技術製造未來的Snapdragon 5G移動晶元組。

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術7LPP EUV，預期可藉此突破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導體技術的發展鋪平道路。對照10納米FinFET製程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

另外，三星位於華城市(Hwaseong)的7納米廠本周五將動土，預計最快明年量產，但預料趕不上當年度Galaxy S10與Note 10的上市時程。

韓國媒體20日報道稱，三星計劃投入6兆韓圜(相當於56億美元)升級晶圓產能。位於華城市的晶圓新廠將安裝超過10台EUV光刻設備，由於每台EUV設備要價皆多達1,500億韓圜，因此僅採購機台費用就達到3～4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設計劃，也將在近期公布。

相較之下，台積電今年已開始試產7nm晶元，預定第2季為聯發科推出晶元原型，並於明年初開始全力量產。

台積電採用5nm先進位程的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土，預計第一期廠房明年第一季即可完工裝機、2020年年初進入量產。台積電公告指出，待2022年第一、二、三期廠房皆進入量產時，年產能預估可超過100萬片十二寸晶圓。

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