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三星宣布將代工高通7nm 5G晶元,台積電一點不慌

日前,三星在其官網上正式宣布,高通未來的5G移動設備晶元將基於他們的7nm LPP(Low-Power Plus)工藝製造,該技術節點會引入EUV(極紫外光刻)。

三星宣布將代工高通7nm 5G晶元,台積電一點不慌

2017年5月,三星首秀了7nm LPP EUV工藝,預期可藉此突破摩爾定律的擴展障礙,為單納米半導體技術的發展鋪平道路。同年7月,三星放言,在2018年會比對手台積電更早地量產7nm。此番再次拿下高通大訂單,意味著三星這項新工藝在良品率上已經得到了較好的控制,即將開始量產。

另外,三星位於華城市(Hwaseong)的7nm廠本周五將動土,預計最快明年量產,但預料趕不上當年度Galaxy S10與Note 10的上市日程。

三星宣布將代工高通7nm 5G晶元,台積電一點不慌

三星位於韓國華城的半導體工廠(Sources:三星官網)

韓國媒體20日報道稱,三星計劃投入6兆韓圜(相當於56億美元)升級晶圓產能。位於華城市的晶圓新廠將安裝超過10台EUV光刻設備,由於每台EUV設備要價皆多達1,500億韓圜,因此僅採購機台費用就達到3~4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設計劃,也將在近期公布。

比10nm FinFET好在哪?

三星在新聞稿中透露,比較當前的10nm FinFET工藝,7nm LPP EUV工序較少、良率較高,將實現面積縮小40%、性能提升10%、功耗下降35%。在新工藝加持下,驍龍(Snapdragon)5G晶元組可減少佔位空間,讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設計。除此之外,結合更先進晶元設計,將可明顯增進電池續航力,旗艦機日常使用滿兩天的好日子可能要來了!

有趣的是,高通在本月還推出了基於7nm工藝的X24基帶,但是一款4G LTE產品,不知道是不是三星參與打造,畢竟在這次的新聞稿中沒有被證實。

而爆料大神Roland曾表示,高通的首款7nm AP是驍龍855,似乎找不出什麼理由突然讓台積電橫插入代工。

**「10年內高通都是我的!」 **

另外,三星在2017年10月宣布正開發介於10nm和7nm的8nm中間工藝,同樣是和高通合作。三星表示,三星和高通的代工合作關係將至少維持10年,三星將授權「EUV光刻工藝技術」給高通使用。

台積電真是要哭暈了嗎?不見得,相較之下,台積電今年已開始試產7nm晶元,預定第2季為聯發科推出晶元原型,並於明年初開始全力量產。

有微博網友@ 傲嬌的小黃瓜醬 冷靜分析了一下,認為「2019年初三星恐不能大規模量產7nm EUV,而10nm優化的8nm無法滿足高通旗艦晶元需求,於是驍龍855採用台積電7nm;預計2020年三星和台積電7nm EUV都能順利量產,高通再次選擇與質優價低的三星合作,也在情理之中。」

這裡的855採用的是台積電的第一代7nm(DUV),而三星宣布合作的,應該要到驍龍865了,屬於第二代7nm工藝(EUV)。

此外,台積電採用5nm先進工藝的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土,預計第一期廠房明年第一季即可完工裝機、2020年年初進入量產。台積電公告指出,待2022年第一、二、三期廠房皆進入量產時,年產能預估可超過100萬片十二寸晶圓。

本文綜合自快科技、手機中國報道

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