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小科普|BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇

Load XMP Setting:載入XMP預設。內存出廠後會進行測試,找到一些電壓、時序、頻率之間穩定運行的參數,保存在內存XMP文件當中,當然你也可以手動超頻無視這個選項。這個參數可以被HWiNFO64或AIDA64查閱。

小科普|BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇

DRAM Reference Clock:內存參考源時鐘,比如100Mhz可以實現DDR 3000、3100等頻率,133Mhz可以實現DDR 3333等頻率。因為內存頻率是按照與CPU外頻和Home Agent的比率來實現的,通常可以設置為Auto。

DRAM Frequency:內存工作頻率,比如DDR4-2800工作在1400Mhz,一般主板會直接顯示DDR頻率,而這個頻率通常是AIDA64當中內存工作頻率的2倍。

Primary Timing:第一時序,通常會列印成標籤貼在內存顆粒上,就是你買內存看到的那四個參數,CL,tRP,tRCD,tRAS

本篇僅介紹第一時序,其他時序可以查閱更多有關內存資料,Ryzen平台上的ProcODT電阻值等可以查閱AMD官方光頭哥的教程(B站av10451553)。

CAS Latency:CL、tCL值。發送給內存橫豎行地址的數據開始延遲。通常這個值可以比下面兩個值低1~2個周期。這也是最影響內存性能的一個時序參數,直接影響到內存的延遲,也就是說會影響遊戲性能哦~·

RAS to CAS Delay:tRCD值,打開內存行和訪問內存列的延遲周期。

Row Precharge:tRP值,RAS to CAS Delay的充電周期。通常和RAS to CAS delay設置的值一樣。

RAS Active Time:tRAS值,內存顆粒激活與發出內存充電指令的周期。這個參數必須比前兩個值加起來大。比如你的內存為16-16-16-36,那麼最後這個值必須比16+16=32要大。通常情況下為了穩定性,還要再稍微加一些周期,比如設置在36。

以上四個值都可以在買內存的時候看到。這四個數值越低,內存的延遲也就越低,讀取速度也越快,當然也可以手動設置探索一下內存的極限,不過要注意電壓的調整。

Command Rate:CR值,命令行比率,能設置成1就設置成1,如果1無法開機就設置2,一般在Skylake以上平台嘗試高頻的時候都設置為2,性能影響還是比較大的。

第三時序有一個非常有意思的參數,tREFI值,這個值是內存的刷新周期,這個值越高,對於內存性能的提升是非常大的。默認值大概在1萬左右(依內存不同而不同)。如果你設置為最大值65535,那麼就相當於把內存往上提升了時鐘周期,跑分黨可以試試,會有驚喜哦。但是如果內存刷新周期太久了會容易丟數據,尤其是內存顆粒密度比較高的情況下(不過你倒是可以給內存加壓哦,手動斜眼,AMD光頭哥說過內存是按照3.5v的標準設計的,1.5v沒什麼問題)。

華碩華擎主板裡面內存選項有一項MRC Fast Boot可以讓電腦在啟動的時候跳過內存檢查,可以顯著加快電腦啟動速度,其他品牌的主板也有相應的設置。

AIDA64裡面也可以看到XMP文檔裡面部分第二時序的設置,可以複製一些在對應的BIOS選項中,也可以自行摸索第二時序的規律。其中的tRC值需要等於RP+RAS,比如14-16-16-36的內存tRC值為16+36=52,其中第二時序tRRD對於內存影響也非常大,其中tFAW應當不小於四倍的tRRD周期。

小科普|BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇

小科普|BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇

小科普|BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇

圖片來自AMD社區員工,圖片當中對於參數的解釋要比主板說明書當中的更准。點擊閱讀原文可以查看。

那麼今天的小科普就到這裡,下期我們來看看BIOS裡面那些和電壓相關的設置選項吧~

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