小科普｜BIOS設置選項詳細解釋②——內存篇
Load XMP Setting：載入XMP預設。內存出廠後會進行測試，找到一些電壓、時序、頻率之間穩定運行的參數，保存在內存XMP文件當中，當然你也可以手動超頻無視這個選項。這個參數可以被HWiNFO64或AIDA64查閱。
DRAM Reference Clock：內存參考源時鐘，比如100Mhz可以實現DDR 3000、3100等頻率，133Mhz可以實現DDR 3333等頻率。因為內存頻率是按照與CPU外頻和Home Agent的比率來實現的，通常可以設置為Auto。
DRAM Frequency：內存工作頻率，比如DDR4-2800工作在1400Mhz，一般主板會直接顯示DDR頻率，而這個頻率通常是AIDA64當中內存工作頻率的2倍。
Primary Timing：第一時序，通常會列印成標籤貼在內存顆粒上，就是你買內存看到的那四個參數，CL，tRP，tRCD，tRAS
本篇僅介紹第一時序，其他時序可以查閱更多有關內存資料，Ryzen平台上的ProcODT電阻值等可以查閱AMD官方光頭哥的教程（B站av10451553）。
CAS Latency：CL、tCL值。發送給內存橫豎行地址的數據開始延遲。通常這個值可以比下面兩個值低1~2個周期。這也是最影響內存性能的一個時序參數，直接影響到內存的延遲，也就是說會影響遊戲性能哦~·
RAS to CAS Delay：tRCD值，打開內存行和訪問內存列的延遲周期。
Row Precharge：tRP值，RAS to CAS Delay的充電周期。通常和RAS to CAS delay設置的值一樣。
RAS Active Time：tRAS值，內存顆粒激活與發出內存充電指令的周期。這個參數必須比前兩個值加起來大。比如你的內存為16-16-16-36，那麼最後這個值必須比16+16=32要大。通常情況下為了穩定性，還要再稍微加一些周期，比如設置在36。
以上四個值都可以在買內存的時候看到。這四個數值越低，內存的延遲也就越低，讀取速度也越快，當然也可以手動設置探索一下內存的極限，不過要注意電壓的調整。
Command Rate：CR值，命令行比率，能設置成1就設置成1，如果1無法開機就設置2，一般在Skylake以上平台嘗試高頻的時候都設置為2，性能影響還是比較大的。
第三時序有一個非常有意思的參數，tREFI值，這個值是內存的刷新周期，這個值越高，對於內存性能的提升是非常大的。默認值大概在1萬左右（依內存不同而不同）。如果你設置為最大值65535，那麼就相當於把內存往上提升了時鐘周期，跑分黨可以試試，會有驚喜哦。但是如果內存刷新周期太久了會容易丟數據，尤其是內存顆粒密度比較高的情況下（不過你倒是可以給內存加壓哦，手動斜眼，AMD光頭哥說過內存是按照3.5v的標準設計的，1.5v沒什麼問題）。
華碩華擎主板裡面內存選項有一項MRC Fast Boot可以讓電腦在啟動的時候跳過內存檢查，可以顯著加快電腦啟動速度，其他品牌的主板也有相應的設置。
AIDA64裡面也可以看到XMP文檔裡面部分第二時序的設置，可以複製一些在對應的BIOS選項中，也可以自行摸索第二時序的規律。其中的tRC值需要等於RP+RAS，比如14-16-16-36的內存tRC值為16+36=52，其中第二時序tRRD對於內存影響也非常大，其中tFAW應當不小於四倍的tRRD周期。
圖片來自AMD社區員工，圖片當中對於參數的解釋要比主板說明書當中的更准。點擊閱讀原文可以查看。
那麼今天的小科普就到這裡，下期我們來看看BIOS裡面那些和電壓相關的設置選項吧~
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