群聯支援美光64層3D NAND 搶先卡位96層主流製程

群聯為因應智能移動存儲市場進入128GB、甚至是256GB的大容量等級需求，群聯27日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制晶元將全系列支持美光64層3D NAND Flash，亦已準備次世代96層技術研發，不但協助客戶在智能移動設備市場擴大產品戰線，亦為客戶卡位車聯網商機作好準備。

2018年全球移動通訊大會(MWC)登場，應用於智能手機的AI運算、AR虛擬應用、身份識別、GIF貼圖、4K HDR影片錄製以及環繞音場等創新功能成為各大國際手機廠發表新機之亮點，為能滿足這些多媒體功能存儲需求，今年度的智能新機之內嵌式存儲器容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的存儲容量等級。

從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的國際智能新機之內嵌式存儲器eMMC/eMCP的存儲容量規格提升至128GB，至於全球前兩大智能手機廠主攻的旗艦新機則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式存儲器，除了為2018年智能新機大容量存儲規格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正式接棒成為快閃記憶體的主流製程。

群聯表示，從快閃記憶體技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。

就2D的NAND Flash之限縮每個存儲單位、同時增加同一層存儲密度的微縮技術已逐漸接近物理極限，因此導致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水準。

至於3D 之NAND Flash技術，則透過垂直立體堆疊存儲單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，並可提升讀寫信息的效能。

有鑒於市場應用，再依據目前各大國際快閃記憶體製造大廠的3D NAND Flash製程演進來看，群聯電子看好，64層的3D NAND Flash將為今年最大宗的主流技術，因此除了領先同業推出的可支援該製程技術的高速UFS控制晶元PS8313之外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶元皆同步支持東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash，另方面，進一步支持次世代的96層3D NAND Flash之先進位程技術的控制晶元亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期完整的產品規劃滿足移動設備、車聯網等客戶擴大全球市場布局之需求。

來源：中時電子報

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