美光不賣我們賣 傳英特爾有意與清華紫光展開3D快閃記憶體方面合作

清華紫光在2015年曾嘗試以230億美元收購美光獲取快閃記憶體技術，但以失敗而告終。在今年年初宣告結束與美光在快閃記憶體研發領域合作的計劃之後，英特爾最近傳出有意與清華紫光展開快閃記憶體方面的合作。

據DRAMeXchange及日本經濟新聞報道，英特爾計劃向清華紫光供應3D快閃記憶體晶圓，而相關晶圓將在英特爾位於大連的工廠製造。英特爾大連工廠（Fab 68）於2010年建成投產，最早使用65納米技術生產晶元組產品，英特爾於2015年投資55億美元將其改造為快閃記憶體製造基地。

在此之前，英特爾與美光合作研發非揮發性存儲技術，並通過與美光成立的合資工廠IMFT獲得快閃記憶體晶圓，將其用於自家固態硬碟產品。按照計劃，英特爾將在96層3D快閃記憶體技術研發成功後與美光徹底分家，大連工廠將成為未來英特爾快閃記憶體製造來源之一。

如果合作獲得成功，清華紫光將成為大連工廠的快閃記憶體客戶。目前英特爾在快閃記憶體市場份額僅有5.5%，排名第六，在擁有更先進的3D XPoint快閃記憶體的情況下，出售技術相對簡單的3D NAND快閃記憶體晶圓不僅可以穩固市場份額，也能讓英特爾獲取更多收益。

清華紫光旗下的長江存儲在去年年底剛剛宣布成功研發出32層堆疊3D NAND快閃記憶體，64層快閃記憶體技術遙遙無期，如果與英特爾合作直接購買64層3D NAND快閃記憶體晶圓進行測試封裝，可以快速實現高水平快閃記憶體產品的生產。

清華紫光是台灣封測大廠力成的第一大股東，而力成目前是東芝、美光等原廠的委外封測廠。就目前來看，與英特爾的合作很可能無法獲得快閃記憶體核心的研發技術，但能夠充分發揮當前在晶元封裝測試方面的資源。使用英特爾3D NAND晶圓並在國內封裝測試，最終打上紫光Logo的快閃記憶體顆粒，能否給固態硬碟帶來新的降價可能呢？我們拭目以待。

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