為中國半導體行業做出突出貢獻的兩位非凡女性

眾所周知，半導體行業男女比例嚴重失調，從事半導體的女性實在是少之又少。但是，卻有這麼一些女性在半導體行業做出了非凡的成就。

今天是三八女神節，我們藉此為大家回顧一下兩位為中國半導體行業做出突出貢獻的老一輩女科學家的生平事迹。

林蘭英（1918年2月7日 — 2003年3月4日），福建莆田人，中國著名科學家，中國半導體材料之母、中國太空材料之母。1940年畢業於福建協和大學（福建師範大學前身）物理系；1955年獲美國賓夕法尼亞大學博士學位；原中國科學院院士、中國科協副主席。長期從事半導體材料科學研究工作，是我國半導體科學事業開拓者之一。先後負責研製成我國第一根硅單晶、第一根無錯位硅單晶、第一台高壓單晶爐、第一片單異質結SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片雙異質結SOI外延材料，為我國微電子和光電子學的發展奠定了基礎；負責研製的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。她先後四次獲中科院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科學技術進步獎二、三等獎，1996年獲何梁何利科技進步獎，1998年獲霍英東成就獎，並受到中央三代領導人的關懷和接見。

作為我國半導體材料科學的奠基人與開拓者，林蘭英兢兢業業地為半導體材料事業傾注了畢生心血，正因為她們這些科學家的努力，我國的半導體材料領域才能彎道超車，迎頭趕上世界前列水平。

下面的內容，我們介紹一下林蘭英先生的生平經歷：

一、來之不易的求學機會

1918年2月7日，在福建莆田林潤故居的最後一進院子里，被稱為「九牧林家」、「媽祖後人」的名門望族——林氏，誕生了一個女嬰。新生命的出世並沒有給這個大家族帶來歡笑，因為這是一個「嬸娘仔鬼」（當地方言，意指女孩）。

在舊中國，重男輕女之風橫行，福建地區尤甚，當地甚至從宋朝開始就有溺死女嬰的惡習。在這樣的環境下出世的女嬰，其祖父的失望可想而知。儘管如此，老人家還是履行了祖父的職責，為女嬰起名為「蘭英」。

林蘭英的父親林劍華長期在外：先在上海大學文學系讀書，之後在南昌《國民日報》當編輯，母親則留在福建老家照顧老人和孩子。母親沒怎麼受過教育，因為陳腐的觀念不讓小英子上學。為了獲得上學的機會，倔強的她把自己反鎖在屋裡，近三天不吃不喝，絕食以死相逼才得到母親的應允，終於獲得了和男孩子一樣的學習機會。

林蘭英（右二）和家人

二、在異國他鄉奮發進取

林蘭英讀書認真刻苦，因為是女孩子的原因，求學路上也經歷了很多磨難，但她都克服堅持了下來，最終憑藉優異的成績考入福建協和大學。大學畢業後，林蘭英留校任教，由於表現優異，獲得出國留學機會。

留學期間，林蘭英的導師非常賞識她，有感於人才難得，要推薦她去芝加哥大學讀數學博士學位。但經過深思熟慮後，林蘭英認為，當時貧窮落後的祖國，最為需要、最為適用的，還是物理。想想看，天上飛的，地下跑的，水中「游」的，乃至修一座高樓，建一座城市，都與物理密切相關。對祖國飽含深情的林蘭英，不應是想學什麼，而應是該學什麼，一切服從祖國建設事業的迫切需要。

因此林蘭英決定：謝絕教授的好意，中斷在數學王國里的遨遊，於1949年秋，前往賓大研究院，致力於固體物理學的研究。適逢美國貝爾實驗室的物理學家運用固體物理理論解釋了半導體現象，並與冶金技術結合製成了世界上第一塊半導體鍺單晶，轟動了全世界。正在學習固體物理的林蘭英，迅速發現這項研究對國家戰略的巨大意義，開始了對半導體材料的研究。

時光冉冉，經過五年的學習，於1955年夏，林蘭英成為賓夕法尼亞大學建校115年來的第一位中國博士，也是該校有史以來的第一位女博士。

林蘭英博士畢業照

三、毅然回國，在祖國科學園地里辛勤耕耘

博士畢業後，林蘭英衝破重重阻撓，毅然投身到祖國的懷抱。雖然她的積蓄全被美國當局扣押，回國後已經身無分文，但她還是毅然將自己冒險帶回來的「葯」——價值20多萬元的500克鍺單晶和100克硅單晶，無償地贈給了中國科學院，成了我國半導體科學工作者求之不得的無價之寶。

黨和國家對回國的林蘭英博士高度重視，安排她去中科院應用物理所工作。在應用物理所，林蘭英第一個目標就是：拉制出屬於中國的第一根硅單晶！當時新中國百廢待興，製取硅單晶最需要的保護氣——氬氣更是稀缺，這種氣體國內不能生產，又被列在國外的禁運名單上。最終，林蘭英想出了抽真空的方法，並且把她在美國發明的籽晶保護罩運用到了製造過程中。1958年，在她的努力下，拉制出了中國第一根硅單晶。

1961年，她又把目光投向了硅外延材料的研製。這是一種具有兩層硅單晶結構的材料，具有非常重要的戰略意義。在硅單晶的基礎上，她又一次成功了。這種硅外延材料製作的一些新型硅器件，使得軍用雷達、電台、遙感測量儀器等更為精確可靠。值得一提的是，這種材料在第一顆原子彈的製造過程中發揮了不可忽視的作用。林蘭英也因此成為了為「兩彈一星」作出重要貢獻的科學家之一。

終身未婚的林蘭英，生活的軌跡基本就是在家和單位之間，全身心投入到了我國的半導體事業當中。先後負責研製出中國第一根單晶硅、第一台高壓單晶爐、第一片單異質結 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片雙異質結 SOI 外延材料。因此四次獲中科院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科技進步二、三等獎，1996年獲何梁何利科技進步獎，1998年獲霍英東成就獎。她的工作極大推進了我國半導體材料的研究高度，為微電子和光電子學的發展奠定了基礎，為我國太空事業做出巨大貢獻。她還培養了包括吳德馨、王占元兩位院士在內的大批優秀科研工作者。

2003年3月4日下午1時36分，林蘭英院士與世長辭，享年85歲。

中國半導體物理學科開創者和奠基人，共和國教育家

前復旦大學校長--謝希德

謝希德（1921年3月19日~2000年3月4日）是享譽海內外的著名固體物理學家、教育家、社會活動家、第三世界科學院院士；1921年3月19日生於福建省泉州市。她是中國半導體物理學科和表面物理學科開創者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和異質結構電子性質理論研究方面成果突出，培養出數位當今中國該領域的領軍人才。

1946年畢業於廈門大學數理學系，1951年美國麻省理工學院博士畢業，1952年10月回國到復旦大學任教，1983—1988年復旦大學校長。專長表面物理和半導體物理的理論研究，取得多項重要成果，並是這些方面科學研究的主要倡導者和組織者之一。90年代主要從事半導體表面和界面、短周期超晶格的聲子譜的研究並取得重要成果。.撰有《半導體物理學》、《固體物理學》等專著4部。謝希德是1949年後中國大陸第一位大學女校長，她把握改革開放新時期的機遇，為復旦大學的發展作出了極大的貢獻，和前任校長蘇步青開創了復旦輝煌的「蘇謝時代」。為中國高等教育事業的發展、物理學科研機構的建立與發展，科教領域的國際交流和合作以及物理學會的工作做出突出的貢獻。

生平經歷

1921年3月19日出生於泉州市蚶江鎮赤湖鄉。那年她的父親謝玉銘被母校燕京大學請回教物理課程，他一邊教書，一邊進修高等物理，準備出國深造。1923年，他得到洛克斐勒基金社的獎學金赴美國留學，母親郭瑜瑾則在廈門大學念書。在謝希德4歲時不幸母親患病去世，此時，父親正在美國芝加哥大學攻讀物理博士學位，幼小的謝希德在祖母無微不至的照料下成長。1926年謝玉銘學成回國，應聘在燕京大學物理系執教。謝希德7歲時，父親與燕京大學數學系畢業生張舜英結婚。繼母對她十分疼愛，使她的心靈得到極大撫慰。11歲時進入燕大附中，在那裡認識同班念書的曹天欽。後來轉到貝滿女中讀書，「敬業樂群」的校訓給她深刻的教育。至今也常懷念當年對學生既嚴格要求又和藹可親的師長們。

1937年盧溝橋事變後，謝玉銘舉家南下，應邀在湖南大學任教。謝希德相繼在武漢聖希理達女中和長沙福湘女中讀完高三。1938年夏天，日本侵略軍的炮火日益逼近武漢、長沙，但當時仍舉行高考統一招生。謝希德報考湖南大學數學系，不久長沙告急，全家搬到貴陽。謝玉銘隻身回到遷往辰溪的湖南大學。好不容易轉移到貴陽後，謝希德住進醫院切除扁桃腺，加上又腿痛難忍，因此雖然接到錄取通知，不得不申請在家休學一年。後來經醫生診斷她的腿痛系股關節結核。那時沒有治結核病的特效藥，生了這種病與被判無期徒刑差不多。當時日本侵略軍的飛機狂轟濫炸，需時常躲避空襲，不得安寧。但她是一個意志堅強的青年，在治病和休養期間，大量閱讀英文小說，這對她後來的發展很有幫助。1942年夏她又考上遷至貴州省湄潭縣的浙江大學物理系，但由於父親不同意而放棄。後來全家從貴州搬到福建長汀縣，父親應聘為廈門大學數理系教授，併兼任系主任、理學院院長和教務長。在薩本棟校長和謝玉銘、傅鷹等各教授的共同努力下，廈大成為當時東南首屈一指的大學。就在這時，謝希德考入廈大數理系。她勤奮好學，訓練嚴格，基礎紮實。尤其是在父輩們的親切熏陶下養成了優良的學風。1946年秋她大學畢業後，來到上海市滬江大學任助教。連綿不斷的戰火，輾轉不定的生活，艱難困苦的環境，使她成為具有強烈愛國心的青年，立志繼承父業，出國深造，為祖國未來奉獻力量。

1946年，當謝希德完成了在廈大數理系四年的學業、正式畢業後，她的父親便提出希望她出國留學。留美考試中，謝希德未能考取公費留美生，但是考取了自費留美資格，即允許用官價購買美元出國留學。可是家裡當時的經濟條件有限，根本不可能支持謝希德出國自費留學。

不得已之下，她只能先找工作，後來擔任了上海滬江大學數理系的助教，一邊學習一邊申請學校。一年後，謝希德被美國史密斯女子文理學院錄取，擔任該校助教，免收學費。

謝希德還有三個弟弟，父親也準備以後把他們都送出國門深造，因此父親不得不應友人之約，隻身到菲律賓謀職，以改善家庭的經濟狀況。謝玉銘也許沒有想到，這一別後他與全家人從此天涯相隔，生前再也未能全家團聚。這是謝希德一生的憾事，也成為一家人刻骨銘心之痛。

於是，1947年8月10日，謝希德乘船漂洋過海赴美深造，在美國著名的史密斯女子文理學院，師從研究生院院長安斯羅教授攻讀碩士課程。此時正值內戰爆發，物價飛漲，民不聊生。幸好這時父親已經在菲律賓馬尼拉工作，家庭經濟狀況好轉，可以給希德一些資助。此外母親每半年還可以從當時的中央銀行以官價購買一些外匯，使得她能在美國安心求學。

1949年謝希德以《關於碳氫化合物吸收光譜中氫鍵信息的分析》論文通過答辯並獲得碩士學位。史密斯女子文理學院的物理系不培養博士生，謝希德在深思熟慮後放棄了去耶魯大學的機會，提出了到麻省理工學院（MIT）深造的申請。MIT不但接受了謝希德，同時也免去了她的全部學費。

1949年謝希德到MIT繼續攻讀博士學位，跟隨莫爾斯和阿利斯兩位教授進行高壓態氫惡阻光性理論分析，並在1951年以該項研究成果獲得博士學位。留學期間的課程要求非常嚴格，課外作業很多，生活顯得特別緊湊，謝希德常常到了深夜才能入睡。而為了維持生活，她同時也在課外為MIT的氣體放電實驗室做一些理論計算的工作，以得到一些經濟收入。

自MIT畢業後，完滿完成學習任務的謝希德，從沒有忘卻自己的祖國，此時此刻的她，已經為祖國建設社會主義的召喚，做好了全新的準備。

復旦工作

1949年10月1日，新中國成立，正在美國麻省理工學院攻讀博士學位的謝希德從親人的來信中得到這一消息。祖國像磁石般吸引著這個遠在異國他鄉的赤子。

有人勸告謝希德不要回到當時生活貧困、科研條件差的中國去，她卻視祖國的利益高於一切，決心在學習告一段落後，立刻回國參加建設。並於1952年，獲得博士學位的謝希德回國，在復旦大學任教，並於1956年與北京大學的黃昆教授共同主持開辦了我國第一個半導體專門化培訓班。

原在上海交通大學的周同慶曾請謝希德去交大任教，由於院系調整，她同周同慶一起來到復旦大學物理系。

在這裡，她承擔了極其繁重的教學任務，從1952年到1956年，先後主講6門基礎課和專業課，且都編寫了教材和講義。她善於組織課程內容，講課切合學生實際，由淺入深，信息量大，條理清晰，語言流暢，使學生們深得教益。現在中國許多中年科技骨幹，如方守賢、丁大釗、王啟明等都是她當年的門生。在她努力下，復旦大學於1955 年開設了固體物理專門化，致力於半導體物理的發展。1960～1962年間，她同方俊鑫合作，編寫了《固體物理學》（上、下冊）一書，由上海科學技術出版社出版，深受國內各大學師生歡迎。80 年代，這部書重新修訂，謝希德增寫了《非晶態物質》一章，保持原書特色，既系統講述本學科的基礎內容，又介紹各主要分支的發展概況。1988年被國家教委評為優秀教材。

1956年秋，為了實現國家12年科學發展規劃，北大、復旦、南京大學、廈大、吉大等5所大學的物理系的部分師生彙集於北大，共同創辦半導體物理專門化。黃昆任教研組主任，謝希德任副主任。他們通力合作，撰寫了一部專著《半導體物理學》，1958年由科學出版社出版。這在當時國際上是一部學術水平很高的權威性著作，為中國培養一大批半導體科技骨幹人才及時作出了貢獻。令人欽敬的是她為了科學事業，放下出生才5個月的小孩，交給愛人曹天欽照料，毅然去北大工作。

在科研方面，她也是白手起家，於1958年創辦上海技術物理研究所，並任副所長（1958～1966）。在她精心指導和組織下，堅持應用技術和基礎研究並重，為上海半導體工業發展和基礎研究創建了必要的條件，培養了一支隊伍。當時實驗技術人員非常缺乏，為此她建立了上海技術物理中專，培養實驗員，後來這批人都補齊了大學課程，成為得力的科技人才。當年提前畢業參加建所的大學生中有很有成就的沈學礎。

60年代初，國際上硅平面工藝興起，她和黃昆敏銳地看到這將促進半導體技術和物理的迅猛發展，聯名建議開展固體能譜研究，並由北京大學、復旦大學、南京大學共同承擔。1962年11月，她晉陞為教授。在她指導下，復旦建立了順磁共振等當時先進的實驗技術。她招收研究生，開設「半導體理論」和「群論」課，編寫講義，指導研究生從事空間群矩陣元選擇定則、應變條件下半導體載流子迴旋共振理論、間接隧道效應理論、半導體能帶計算等項科研課題。1966年夏，在北京召開的暑期物理討論會上，她作了能帶計算成果的報告，與各國學者進行交流。1986年在原有講義基礎上又進行改寫，出版了專著《群論及其在物理學中的應用》，此書現已成為國內許多大學研究生的教材，使學生較容易掌握群論這樣抽象的數學工具，受到師生們的好評。

突出貢獻

謝希德1976年10月粉碎「四人幫」後，祖國又有了希望。1977年8月，當時分管科學教育的鄧小平，在科學教育工作座談會上指出：建國後17年，教育戰線、科研戰線的主導方面是紅線，中國知識分子絕大多數是自覺地為社會主義服務。我們要尊重腦力勞動，尊重人才。1978年3月在全國科學大會上，鄧小平強調了「科學技術是生產力」和知識分子已經是工人階級的一部分的觀點，給知識分子莫大的鼓舞。正如郭沫若所說的迎來了科學的春天。

在1977年底的全國自然科學規劃會上，謝希德報告了她的科學調研，以殷實的材料說明在固體物理、材料科學和量子化學之間正在形成新的邊緣科學即表面科學，其基礎是表面物理，基本內容包含三個部分：一是確定表面的原子成分；二是表面原子結構和成鍵性質；三是表面電子態和各種特殊的物理性質。她還闡明了表面物理同高新技術和科學發展以及與國民經濟之間的重要關係，提出在中國發展表面物理的倡議。這個報告得到與會科學家的讚賞。她的倡議得到國家科委和高教部的支持，返校後，她立即著手籌建以表面物理為研究重點的復旦大學現代物理研究所。在短時間內，在原有物理系和核科學系的基礎上建立了8個研究室。

1978年9月，謝希德又擬訂計劃，組織兩個系列的學術報告討論會，一是表面物理，系統講述表面物理的基礎內容和發展前景；二是固體能帶理論。她安排好報告人並開列參考文獻供報告人準備之用。7個多月，她帶病親自組織報告30多次。在此基礎上還舉辦了全國性的表面物理討論班。

中國科學院和教育部委託復旦大學物理系和現代物理研究所舉辦的固體理論討論班，1979年3月在復旦舉行，由副校長兼現代物理研究所所長謝希德主持並親自作幾個學術報告，來自全國20多個省、市、自治區84所高校和科研單位的170多位代表參加了討論班，主題是「群論」和「固體能帶理論」，時間長達一個月之久，收到很好的效果。

1982年，美國物理學家、1998年諾貝爾化學獎獲得者，W.科恩（Kohn）來華講學，回國後評論說：「謝希德教授作了明智的選擇，在復旦大學開展表面物理研究」。多年的努力和在國家科委和國家自然科學基金會的支持下，現代物理研究所的表面物理實驗室於1990年經國家計委組織專家評審，被確定為國家應用表面物理開放實驗室。在謝希德指導和王迅的努力下，該實驗室在化合物半導體GaAs和InP的極性表面結構和電子態，表面界面結構，Si/Ge超晶格的生長機制和紅外探測器件、多孔硅發藍色光、藍色激光材料研製，鍺量子點的生長和研究，磁性物質超晶格等方面取得出色成果。

由於她與同事們堅持不懈的努力，1985年、1987年、1990年和1997年，謝希德和張開明、葉令及蔣平等共取得4項科研成果。這就是「半導體表面電子態理論與實驗之一」、「鎳硅化合物和硅界面理論研究」、「金屬在半導體表面吸附及金屬與半導體界面電子特性研究」和「量子器件與異質結構電子性質的理論研究」，分別獲得國家教委科技進步二等獎。在指導研究生方面，據不完全統計，自1978年以來，已培養了博士15名，碩士10多名。發表學術論文近百篇。她是1997年何梁何利科技進步獎的獲得者之一。

80年代初，美國著名科學家，兩次諾貝爾物理學獎獲得者J.巴丁（Bardeen）率團訪華。他回國後稱讚說：「在中國科學界中，謝希德教授是屬於最有影響的人士之一。」

由於謝希德的科研成就和國際學術交流方面的卓越貢獻，使她得到國內外學術界的讚譽，享有崇高的聲望。她被選為中國物理學會副理事長（1978～1991），中國科學院數理學部委員（院士）、兩度當選中國科學院學部主席團成員（1981年和1992年）。美、英、日、加、香港地區的13所大學分別授予她名譽科學博士、名譽工學博士和人文科學博士1987年6月接受美國紐約州立大學Alabany分校授予名譽博士時，《今日美國》報社記者採訪她，稱她為「中國的哈佛大學校長」。1986年她被選為美國物理學會的名譽會員（Fellow）。1988年她又當選為第三世界科學院院士。1990年被選為美國文理科學院外國院士。《表面科學》等6種國際學術雜誌請她擔任顧問和編委。她也是國際純粹和應用物理聯合會（IUPAP）半導體委員會委員（1987～1993），先後擔任國際半導體物理會議的顧問和程序委員會委員，1990年當選為在北京召開的第二十一屆國際半導體物理會議主席。會議於1992年8月召開，中外專家500餘人出席這屆大會，報送的論文達900多篇。這是第一次在亞洲發展中國家召開的國際半導體物理會議。這次會議為中國半導體物理學界提供了一個直接接觸國際科技前沿領域的良機，對中國半導體學科的發展以及青年人才的培養，起到很好的推動作用。

謝希德在與國際科技界友好往來和學術交流中，顯示了特有的智慧和才幹，為振興中華、建設祖國作出了重大貢獻。自1983 年起她每年都參加美國物理學會的三月會議，回來後必向物理系師生作介紹，並撰文講述當年物理學前沿的重要發展。她多次應邀出國參加各種會議，作有關半導體物理、表面物理學術報告外，還作有關中國科學、教育、婦女、人口和環境等方面的報告，足跡遍及美、英、法、德、意、日、俄、波蘭、匈牙利、希臘、泰國、委內瑞拉等國。

謝希德是中國半導體物理學和表面物理學研究的開拓者之一，成就卓著，深受學術界、教育界的尊敬。1991年3月19日欣逢她七十大壽，又值她在復旦大學執教40年。國家科委主任宋健和中國科學院院長周光召聯名發來賀電。國際著名的3位諾貝爾物理學獎獲得者楊振寧、李政道和A.薩拉姆（Aalam）分別發來賀電。國家教委也致電祝賀。中國物理學會理事長馮端寄來熱情洋溢的賀信。國內外知名學者撰寫了26篇學術論文，彙編成《表面物理學及有關課題》文集，以熱烈和由衷的慶賀，由新加坡世界科學出版社出版。

人物評價

謝希德謝希德不但是一位國內外知名的物理學家，也是一位傑出的教育家和社會活動家。在高教事業方面，謝希德的貢獻是突出的。她先後擔任復旦大學副校長（1978～1983）和校長（1983～1988）長達10年之久，建樹累累。她率先在國內打破綜合大學只有文科、理科的前蘇聯模式，根據復旦大學的條件增設了技術科學、生命科學、管理科學等5個學院。她大力提倡師生的創造性和科研工作，加強國內外的學術交流。教學質量和科研水平與日俱增，復旦的聲譽在增長。她深知抓好教師隊伍建設的重大意義，採用破格提升的方法，鼓勵學科帶頭人脫穎而出。她注意發揮教師在教書育人中的指導作用，1956年秋在復旦推行導師制。導師們深入學生中間，指導學生學習，針對各種問題曉之以理、動之以情，效果很好。設立「校長信箱」、「校長論壇」、「新聞發布會」溝通校內各方面情況，使存在的問題得以及時解決，師生和職工們感到比較滿意。她在師生中大力提倡好的學風，嚴謹治學，嚴格要求。

謝希德也是一位出色的社會活動家。1982年9月當選為中國共產黨第十二屆中央委員會委員，1987年10月當選為中國共產黨第十三屆中央委員會委員，1988年5月當選為中國人民政治協商會議上海市第七屆委員會主席。在中共十三大開會期間，謝希德與浙大校長路甬祥、廈大副校長王路林一同出席中外記者會，她老練地回答了記者們的各種提問。作為上海市政協主席，她的視野寬闊，極為關注浦東新區的開發，對浦東的高等教育提出新的見識，後來又擔任了校址設在浦東的杉達大學的校長。她不僅關注全市的教育、科技方面的工作，也關注文化、社會風氣、農業等等。人們可以從電視新聞中看到她帶領政協委員下工廠、農村了解情況和慰問的動人場面。她關心科普教育，主編一本《阿爸教科學》的新書，給青少年增添了許多新知識。

在復旦校園裡，她曾接待過來訪的法國總統德斯坦，美國總統里根以及國務卿舒爾茨等外國領導人。她代表復旦授予一批世界上著名的學者、教授為復旦大學名譽教授、顧問教授的稱號。1998 年美國總統柯林頓和夫人來華訪問時，謝希德作為知名人士參加了柯林頓總統在上海的座談會。

1998年11月4日美國半導體產業協會（Semicondueter Indartry associaleer）出資在復旦大學美國研究中心設立謝希德獎金以鼓勵有關領域的科學研究。謝希德在團結各界人士、特別是教育界和科技界、國際友人、海外學子和僑胞中，為振興中華、建設祖國做出了重大貢獻。

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