韓媒：紫光將獲得Intel快閃記憶體技術授權

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據韓國媒體報道，為了滿足PC、智能手機市場對NAND快閃記憶體的持續高需求，Intel正在與中國紫光集團談判，授權其生產64層3D NAND快閃記憶體。

這種快閃記憶體技術來自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結束合作，各自獨立優化自己的產品和服務，同時Intel會把所持股份幾乎全部賣給美光，從中脫身。

Intel當前使用和供應的快閃記憶體都來自IMFlash，如果完全獨立勢必會大大影響產能和供應量，而當前快閃記憶體市場需求又持續高位，Intel迫切需要一個新的夥伴。

而紫光是中國半導體行業發展中大力扶持的關鍵對象。未來五年，中國將在半導體行業投入1萬億元人民幣，目標是到2025年將自主產能提高到70％，紫光自然扮演著極為關鍵的角色。

目前，紫光已經投資300億美元，在南京興建自己的內存、快閃記憶體工廠，還與建興聯合在蘇州興建SSD開發製造工廠。

如此一來，紫光能得到Intel的垂青，也毫不意外。

目前還不清楚Intel、紫光授權的具體內容，是單純的製造授權，還是更高級的技術授權。

如果是後者，紫光還能將Intel快閃記憶體用於自家產品，在自主快閃記憶體尚不完全成熟的情況下可以作為一個補充，但也希望自主快閃記憶體不要因此荒廢了自己，畢竟這種教訓實在太多了。

無論如何，這對紫光來說都是一次極好的發展機遇，可以與當今世界上最先進的快閃記憶體技術零距離接觸，對增強自身技術實力有莫大好處。

韓國媒體也認為，這將是對三星、SK海力士、東芝的一次嚴峻挑戰。

另外，IMFlash還在開發新一代96層堆疊3D快閃記憶體，並輔以10nm級別製造工藝，容量密度將比現在的64層提高一倍，未來也有望落戶紫光。

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